大家好(hǎo)，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光公司在华(huá)销售的产品未通过网络安全审查

　　据(jù)网信办消(xiāo)息(xī)，日前，网络(luò)安(ān)全审查办公室依(yī)法对美(měi)光公司在华bjd娃娃是用什么做的 bjd娃娃可以一起睡吗销售产品(pǐn)进行了网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　审查发现，美光公司产品存在较严(yán)重网络安全(quán)问题隐(yǐn)患，对我国关(guān)键信息基(jī)础设施供应(yīng)链(liàn)造成重大安全(quán)风险，影(yǐng)响我国国家安全。为此，网络安(ān)全审查办公(gōng)室依法(fǎ)作出不予通(tōng)过网(wǎng)络(luò)安(ān)全审(shěn)查的结论。按(àn)照《网络安全(quán)法(fǎ)》等法律法规，我国内关键信息(xī)基础设施(shī)的运营(yíng)者应停(tíng)止采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对(duì)美(měi)光公司产品(pǐn)进行(xíng)网络安全(quán)审查，目(mù)的是防范(fàn)产品网络安全(quán)问题危害国家关键信(xìn)息基础(chǔ)设施安全，是维(wéi)护国家安全的必要(yào)措施。中(zhōng)国坚定推(tuī)进高水平对外开(kāi)放，只要遵守(shǒu)中国法律法规要(yào)求，欢迎各国企业(yè)、各类平台产品服务(wù)进入(rù)中国(guó)市场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国(guó)网(wǎng)信(xìn)网发文称，为保障关键信息(xī)基础设施(shī)供应链安(ān)全，防范产品问题隐患造成(chéng)网(wǎng)络安(ān)全风(fēng)险，维护国家安全，依据《中(zhōng)华人(rén)民(mín)共和国国家安全法》《中华(huá)人民(mín)共(gòng)和国网(wǎng)络(luò)安(ān)全(quán)法》，网络安全审查办公(gōng)室(shì)按照《网络安全(quán)审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实(shí)施网络安全审查。

　　美(měi)光是(shì)美国的存储芯片行业(yè)龙头，也是全球(qiú)存(cún)储(chǔ)芯片(piàn)巨头之一，2022年收(shōu)入来自(zì)中国(guó)市场收入(rù)从此前高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西(xī)部数据(jù)、SK 海(hǎi)力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额(é)约为 96.76％，三星(xīng)电子(zi)、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波(bō)龙、佰维(wéi)存储等公司披露过美(měi)光等国际存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比已经显著下降(jiàng)，至少(shǎo)已(yǐ)经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2bjd娃娃是用什么做的 bjd娃娃可以一起睡吗-height: 24px;'>bjd娃娃是用什么做的 bjd娃娃可以一起睡吗021年美光位列江波龙第(dì)一大(dà)存储晶圆(yuán)供应商，采(cǎi)购约31亿(yì)元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第(dì)一(yī)大、第二大和第三大供应商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产业链上下游建立国内外(wài)广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三星(xīng)、美光(guāng)、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了(le)长期合约，确保存(cún)储晶圆供应的稳(wěn)定(dìng)性，巩固公(gōng)司(sī)在下游市场的供(gōng)应优势，公司也与国内国产(chǎn)存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储(chǔ)、合肥长鑫(xīn)保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商(shāng)此(cǐ)前就分析，如果美光在中国区销售受到限制，或将导致下(xià)游客户转而(ér)采购(gòu)国外三星(xīng)、 SK海力士，国内(nèi)长江(jiāng)存储、长鑫存(cún)储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存(cún)、长鑫的(de)上(shàng)游(yóu)设备厂或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会更深(shēn)的(de)孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据东京电子(zi)披(pī)露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为(wèi)75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备国产化进程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积(jī)）等相关公司份(fèn)额(é)提升(shēng)，以(yǐ)及存储业务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收(shōu)入(rù)增长。

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