大家好，来看(kàn)一则(zé)突(tū)发消息。

　　美(měi)光公司(sī)在华销(xiāo)售的产品未(wèi)通过网络(luò)安全审(shěn)查(chá)

　　据网信办(bàn)消息，日(rì)前，网络安全审查(chá)办公室依法对美光公司在华销售产(chǎn)品进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查发(fā)现，美(měi)光公司产品存在较严重网络安全问题隐患，对(duì)我国关键信息(xī)基(jī)础设施(shī)供应链造成重大安全(quán)风险，影响我(wǒ)国国家(jiā)安全。为(wèi)此，网络安全审查办公(gōng)室依(yī)法作出(chū)不予通(tōng)过(guò)网络安全(quán)审(shěn)查的结论。按(àn)照《网络安全(quán)法》等法律法(fǎ)规，我(wǒ)国(guó)内(nèi)关(guān)键信息基础设施的运(yùn)营(yíng)者应停(tíng)止采购美光(guāng)公司产(chǎn)品。

　　此次对美(měi)光公司产品(pǐn)进行网络(luò)安(ān)全审查，目的(de)是(shì)防(fáng)范产品网(wǎng)络(luò)安全问(wèn)题危害国家(jiā)关键信息基础设施安全，是维(wéi)护国家安全的必(bì)要措施。中国坚定推(tuī)进(jìn)高(gāo)水平(píng)对(duì)外开放(fàng)，只要遵守中国(guó)法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国网信网发文(wén)称(chēng)，为保(bǎo)障关键(jiàn)信息基(jī)础(chǔ)设施供应链安全，防范产品问(wèn)题隐患造成网络安全风险，维护(hù)国家安全，依据(jù)《中华人(rén)民共和国国家安全法(fǎ)》《中(zhōng)华人民共和国网络安全法(fǎ)》，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室按照《网络(luò)安全审查办法》，对(duì)美光公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是(shì)全球存储芯(xīn)片(piàn)巨头(tóu)之(zhī)一，2022年收入(rù)来(lái)自(zì)中国市(shì)场收入从此前(qián)高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年(nián)约(yuē)11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西部(bù)数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美(měi)光在全球 DRAM （内(nèi)存）市(shì)场(chǎng)份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公司中，江波龙(lóng)、佰(bǎi)维存储等公(gōng)司披露过(guò)美光等(děng)国际存储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙(lóng)采购占比已(yǐ)经(jīng)显(xiǎn)著下降，至(zhì)少已(yǐ)经不是主要大供应商。

　　公告(gào)显示(shì)， 2021年(nián)美(měi)光位(wèi)列江波龙第(dì)一大存储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙第(dì)一大、第二大和第三大供应(yīng)商采(cǎi)购金额占比分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙(lóng)已经在存(cún)储产业链上下游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年(nián)报显(xiǎn)示，江波(bō)龙与(yǔ)三星(xīng)、美光(guāng)、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签署了长(zhǎng)期(qī)合约，确保存(cún)储晶圆供应(yīng)的(de)稳定(dìng)性，巩固公司(sī)在下游市场的(de)供应优势，公(gōng)司也与国内(nèi)国产存储晶(jīng)圆原厂武(wǔ)汉(hàn)长(zhǎng)江(jiāng)存(cún)储(chǔ)、合15个工作日是多长时间 15个工作日包括周六周日吗肥长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券商此(cǐ)前(qián)就分析，如果美光在中国(guó)区销售受到(dào)限制，或(huò)将(jiāng)导致下游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国(guó)内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产(chǎn)品

　　分析(xī)称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从(cóng)中受益(yì)。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大量的加(jiā)工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深(shēn)的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据(jù)东京电子(zi)披(pī)露，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长江存储(c15个工作日是多长时间 15个工作日包括周六周日吗hǔ)被(bèi)加入美国限(xiàn)制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等(děng)相关(guān)公司份额提升，以及存储业(yè)务占比较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入(rù)增长。

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