大家好，来看一则突发(fā)消息(xī)。

　　美光公(gōng)司在(zài)华(huá)销售(shòu)的产(chǎn)品未通过网络安全审查(chá)

　　据网信办消息(xī)，日前，网络安全(quán)审查办公(gōng)室(shì)依(yī)法对美光公(gōng)司(sī)在华销售(shòu)产品(pǐn)进(jìn)行了网络安(ān)全(quán)审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司(sī)产品存在(zài)较(jiào)严重网络安全问题隐患，对(duì)我国(guó)关键信(xìn)息基(jī)础设施供应链(liàn)造成(chéng)重大安全风险，影响(xiǎng)我国国(guó)家安(ān)全。为此，网络安(ān)全审查办公(gōng)室依法作出不予(yǔ)通过网络安全审(shěn)查的结论。按照《网络安全法》等法律法规(guī)，我国内(nèi)关键信息基础设施(shī)的运营者应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次(cì)对(duì)美光(guāng)公司产品(pǐn)进行网络安全(quán)审(shěn)查，目的是防(fáng)范产品网络安(ān)全(quán)问(wèn)题危害国(guó)家关(guān)键信息基础设(shè)施安全，是维护(hù)国(guó)家安全的必要措施(shī)。中(zhōng)国(guó)坚定推进高水(shuǐ)平对外开(kāi)放，只(zhǐ)要(yào)遵守中国(guó)法律法规要求(qiú)，欢迎各国(guó)企(qǐ)业、各类平(píng)台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网(wǎng)发文称，为(wèi)保障关键信(xìn)息基(jī)础设施供应链安全，防范(fàn)产品问题隐患造成网络安全(quán)风险，维护(hù)国(guó)家安(ān)全，依据《中华人民共(gòng)和国国家安全法》《中华人民共和国网络(luò)安全法》，网络安全审查办公(gōng)室按(àn)照《网络安全审查办法(fǎ)》，对美光(guāng)公司（Micron）在华(huá)销售的产品(pǐn)实施网络安全审查(chá)。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片行(xíng)业龙(lóng)头，也是全球(qiú)存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中国市场收入从此前(qián)高峰(fēng)57％降(ji杨志的性格特点和人物事迹概括，杨志的性格特点和人物事迹简介àng)至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股上(shàng杨志的性格特点和人物事迹概括，杨志的性格特点和人物事迹简介)市公司中，江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维(wéi)存储等公司披(pī)露过美光(guāng)等国(guó)际(jì)存储厂商为(wèi)公司(sī)供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已经显著下降，至少(shǎo)已经不(bù)是主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年(nián)美光位列江(jiāng)波龙第一(yī)大存储(chǔ)晶圆供应商(shāng)，采购(gòu)约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第(dì)一(yī)大(dà)、第二大和第三大(dà)供应商采购金(jīn)额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙已经在存储产业链(liàn)上下(xià)游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与三星、美光、西(xī)部数据(jù)等主要存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)签署了长期合约(yuē)，确保存(cún)储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司在下游市场的供(gōng)应(yīng)优(yōu)势，公(gōng)司(sī)也与国内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储、合(hé)肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良好的合作(zuò)。

　　有券(quàn)商此(cǐ)前就分析，如(rú)果美光在中国区销售受到限制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长(zhǎng)存、长鑫的上游(yóu)设备(bèi)厂或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄(báo)膜(mó)沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深的孔或者沟槽(cáo)，催生(shēng)更多设备需求。据东京(jīng)电子披露(lù)，薄膜沉积设(shè)备(bèi)及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本开支(zhī)合计为75％。自长江存(cún)储被加入美国限制名单，设(shè)备国产化进程(chéng)加速，看好(hǎo)拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份额提升，以及存储业务占比(bǐ)较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入(rù)增(zēng)长(zhǎng)。

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