大(dà)家好，来看一则突发(fā)消息。

　　美光公司在(zài)华销(xiāo)售的产(chǎn)品未(wèi)通过网络(luò)安全(quán)审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网络安(ān)全审查办(bàn)公室依法对美光公司在华销售(shòu)产品(pǐn)进行(xíng)了网络安(ān)全审查。

　　审查发现(xià体校怎么考,上体校需要什么条件呢，体校需要什么条件可以考？n)，美光公司产品存在(zài)较严重网络安全问题隐患，对我国关(guān)键(jiàn)信息基础设(shè)施供应链(liàn)造成(chéng)重大安全风险，影响(xiǎng)我国国(guó)家安(ān)全。为此，网络(luò)安全审查办(bàn)公室依(yī)法作(zuò)出(chū)不予通过网络安全审查的结论(lùn)。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规，我国内关键信息基础设施的运(yùn)营者应停止采(cǎi)购美(měi)光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光(guāng)公司产品(pǐn)进行网络(luò)安全审查(chá)，目的(de)是防范产品网络(luò)安全问题危害(hài)国(guó)家关键信息基(jī)础设施(shī)安全(quán)，是(shì)维(wéi)护国家安全的必(bì)要措施。中国坚定推(tuī)进高水平对外开(kāi)放，只要遵守中国法律(lǜ)法规(guī)要求，欢(huān)迎各(gè)国企业(yè)、各类平(píng)台产品服(fú)务(wù)进入中国(guó)市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中国网(wǎng)信(xìn)网发文称，为保障关键信息基(jī)础设施(shī)供应链安全，防范(fàn)产品问题隐患造成网络安全(quán)风险，维护(hù)国家安(ān)全，依据《中华(huá)人民共(gòng)和国国(guó)家(jiā)安全法》《中华人(rén)民共和国网络安全法》，网络安全审查办公室(shì)按照《网(wǎng)络安全审(shěn)查办法》，对美光(guāng)公(gōng)司(sī)（Micron）在(zài)华体校怎么考,上体校需要什么条件呢，体校需要什么条件可以考？销售的(de)产品实施网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查(chá)。

　　美光是美国(guó)的存储(chǔ)芯片行(xíng)业龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自中国市场收入从(cóng)此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xī体校怎么考,上体校需要什么条件呢，体校需要什么条件可以考？ng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司(sī)中(zhōng)，江(jiāng)波龙(lóng)、佰(bǎi)维存储等公司披露过美光等国(guó)际存储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已经显著下降，至少已经(jīng)不(bù)是主要大供(gōng)应(yīng)商。

　　公告显(xiǎn)示(shì)， 2021年美(měi)光位列江波(bō)龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大和第三大供应商采(cǎi)购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产(chǎn)业(yè)链上下游建立国内外(wài)广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙(lóng)与三星(xīng)、美光、西部数据等主要存(cún)储晶圆原厂签署了长期合约，确(què)保存(cún)储(chǔ)晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固公司(sī)在下游市场的供应优势，公司也与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果美光在中国区销(xiāo)售受到(dào)限制，或将导致下(xià)游客户转而(ér)采(cǎi)购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产(chǎn)品

　　分(fēn)析称，长(zhǎng)存(cún)、长鑫的上游设(shè)备(bèi)厂(chǎng)或从中(zhōng)受益。存储(chǔ)器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最(zuì)关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经(jīng)过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻(kè)到(dào) 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的(de)孔或者(zhě)沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据(jù)东京电子(zi)披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计(jì)为(wèi)75％。自长江存储被加入(rù)美国限制名单(dān)，设备国产化进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公司份额提(tí)升，以(yǐ)及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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