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　　美光(guāng)公司在华销售的产品(pǐn)未通过网络安全审(shěn)查

　　据(jù)网(wǎng)信办(bàn)消息，日前(qián)，网络安(ān)全审查办公室依法对美光公司在华销(xiāo)售(shòu)产(chǎn)品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产(chǎn)品存(cún)在较严(yán)重网络安(ān)全(quán)问题隐患，对我国关键信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设施供(gōng)应链造(zào)成重大安全风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为(wèi)此(cǐ)，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室依法作出(chū)不予(yǔ)通过网(wǎng)络安全审查的(de)结(jié)论。按照(zhào)《网(wǎng)络(luò)安全(quán)法(fǎ)》等法律法规，我(wǒ)国内关(guān)键信息基础设施的运营者应停(tíng)止采购(gòu)美光公(gōng)司产品。

　　此次对(duì)美(měi)光公司产品进行网络安(ān)全审查，目的是防范产品网(wǎng)络安全问题危害(hài)国(guó)家关键(jiàn)信(xìn)息基础设施安全，是维护国家安全的必要措施。中国(guó)坚定(dìng)推(tuī)进高水平(píng)对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各(gè)国(guó)企业、各类平(píng)台产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称(chēng)，为保障关(guān)键(jiàn)信息基础设施供应(yīng)链安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成(chéng)网(wǎng)络(luò)安全风险(xiǎn)，维(wéi)护国家(jiā)安全，依据(jù)《中华人民(mín)共和(hé)国国家安全法(fǎ)》《中华人民(mín)共和国网络(逆天邪神为什么不更新了 逆天邪神是什么时候开始写的luò)安全法》，网络安全审查(chá)办公(gōng)室按照《网络安全审(shěn)查办法》，对美光公(gōng)司(sī)（Micron）在华(huá)销售(shòu)的(de)产品实(shí)施网络安(ān)全审查。

　　美光是(shì)美国的存(cún)储芯片行业龙头，也是全球存(cún)储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来自中国市场收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询(xún)机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份(fèn)额约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波(bō)龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比(bǐ)已经显著下降，至少已(yǐ)经不是主要大供(gōng)应商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光位列(liè)江(jiāng)波龙第一大存(cún)储晶圆(yuán)供应商，采购约(yuē)31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三(sān)大供应(yīng)商(shāng)采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙已(yǐ)经在存储产业(yè)链上下(xià)游建立国内(nèi)外广泛(fàn)合(hé)作。2022年年(nián)报(bào)显示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数(shù)据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确(què)保存储晶(jīng)圆供(gōng)应的稳定性，巩固公司在下游市场的供(gōng)应(yīng)优势，公司也(yě)与国内国产存储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长(zhǎng)鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果(guǒ)美光在中国区销售(shòu)受到限制(zhì)，或将导致(zhì)下(xià)游客户转而(ér)采购国外三星、 SK海力(lì)士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上(shàng)游(yóu)设备厂或从中(zhōng)受益。存(cún)储器的(de)生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结(jié)构(gòu)转变(b逆天邪神为什么不更新了 逆天邪神是什么时候开始写的iàn)使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需(xū)要经(jīng)过薄(báo)膜沉积工(gōng)艺步骤(zhòu)，同(tóng)时刻(kè)蚀目前前(qián)沿要(yào)刻到 60：1的(de)深孔(kǒng)，未来(lái)可能会更(gèng)深的(de)孔或者(zhě)沟槽，催生更(gèng)多设备需求(qiú)。据东京电子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存储(chǔ)被加入美国限制名单，设备国产化进程(chéng)加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关(guān)公司份(fèn)额提升，以(yǐ)及存(cún)储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗(xǐ)）等收入增(zēng)长。

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