大家好(hǎo)，来看一则(zé)突发消息。

　　卅是什么意思，卅是什么意思,读音g>美光公司在华销售的(de)产品(pǐn)未通(tōng)过网络安(ān)全(quán)审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查(chá)办公(gōng)室依法对(duì)美光公司在(zài)华销售产品进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查发(fā)现(xiàn)，美光公司产品存在较严重网络安(ān)全问题隐患(huàn)，对我国关键信息基础设(shè)施供(gōng)应链造成(chéng)重大(dà)安全风险，影响我国国家安全。为此，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室(shì)依法作出不(bù)予(yǔ)通(tōng)过网络安(ān)全审(shěn)查(chá)的(de)结论(lùn)。按照《网络安全法(fǎ)》等(děng)法律法规(guī)，我国内关键(jiàn)信息基础设施的运营者(zhě)应停止采购(gòu)美光公司产品。

　　此(cǐ)次对(duì)美光(guāng)公司产品进行(xíng)网络(luò)安全审(shěn)查，目的(de)是防范产品网络安全问题危害国家(jiā)关键信息(xī)基础设(shè)施安(ān)全，是维护国家安全的(de)必要措施。中国坚定推进高水平(píng)对(duì)外开放(fàng)，只要遵守中国(guó)法律法规要求(qiú)，欢(huān)迎各国企业、各(gè)类(lèi)平台产品服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文(wén)称，为保障关(guān)键(jiàn)信息基础设施(shī)供应链安全，防范产(chǎn)品问题(tí)隐患(huàn)造成网(wǎng)络安全(quán)风险，维(wéi)护国家(jiā)安全，依据《中华人民共和(hé)国国家安全法》《中(zhōng)华人(rén)民共和国网络(luò)安(ān)全(quán)法(fǎ)》，网络安全审查办公室按(àn)照(zhào)《网络安全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片行业龙(lóng)头，也是全球存(cún)储芯片巨头之(zhī)一(yī)，2022年收入来自中(zhōng)国市场收入从此(cǐ)前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部(bù)数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波(bō)龙(lóng)、佰维存储等公司(sī)披(pī)露过美光(guāng)等国际存储厂(chǎng)商为公司供(gōng)应商。

　　美(měi)光在江(jiāng)波(bō)龙采购占比已(yǐ)经显(xiǎn)著下降，至少(shǎo)已经(jīng)不是主(zhǔ)要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波龙(lóng)第一(yī)大(dà)存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大(dà)、第二大和第三(sān)大供应商采购金额(é)占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已(yǐ)经在存储产业链上下游建立国(guó)内卅是什么意思，卅是什么意思,读音外广(guǎng)泛合(hé)作。2022年(nián)年报(bào)显(xiǎn)示，江波龙(lóng)与三(sān)星、美光、西(xī)部数据等(děng)主(zhǔ)要(yào)存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约(yuē)，确保存储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固公司在(zài)下游市场(chǎng)的(de)供应优势(shì)，公司也与国内(nèi)国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保(bǎo)持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美光在(zài)中国(guó)区销(xiāo)售(shòu)受到(dào)限制，或将导致下游(yóu)客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫(xīn)存储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的上(shàng)游设备(bèi)厂或从(cóng)中(zhōng)受益。存储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的(de)结构转变(biàn)使刻(kè)蚀(shí)和(hé)薄膜成为(wèi)最关键(jiàn)、最(zuì)大量的(de)加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积(jī)工艺步骤，同时(shí)刻蚀目(mù)前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者(zhě)沟槽(cáo)，催生更多设(shè)备需求。据(jù)东(dōng)京电子披露(lù)，薄膜沉积(jī)设备及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线资本(běn)开支合(hé)计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美(měi)国限制名(míng)单(dān)，设(shè)备国(guó)产化(huà)进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜(mó)沉积(jī)）等相关(guān)公司份额提升，以及(jí)存储业务(wù)占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增(zēng)长。

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