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　　美光(guāng)公(gōng)司在华销售的产品未通(tōng)过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安全审查办公室依法对(duì)美光公司在华销售产品进行了网络安(ān)全审(shěn)查。

　　审查发(fā)现，美光公(gōng)司产品存在较(jiào)严重(zhòng)网络安全问题隐患(huàn)，对我国关键信息基础设施供应链造成重(zhòng)大(dà)安全风险，影响(xiǎng)我国国家安全。为此，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室依法作(zuò)出不予通过网络安全审查的结论。按(àn)照《网(wǎng)络安全法》等法律法(fǎ)规，我国内关(guān)键信息基(jī)础(chǔ)设施的运营者应停止采购美光(guāng)公司产品(pǐn)。

　　此次对美(měi)光公(gōng)司产(chǎn)品进行网络安全(quán)审查，目的是防(fáng)范产品网络(luò)安全问题危害国家关键信息基(jī)础(chǔ)设施安(ān)全，是维(wéi)护国家安全的必要措施。中国坚(jiān)定推进高水平对外开(kāi)放，只要(yào)遵守中国法律法(fǎ)规要(yào)求，欢迎各国企业(yè)、各(gè)类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网(wǎng)信网发文称，为保障关键信(xìn)息(xī)基础设施供应链(liàn)安全，防范产品(pǐn)问题隐患造成网(wǎng)络安全风(fēng)险，维(wéi)护(hù)国家安全，依据《中华人民共和(hé)国(guó)国(guó)家安(ān)全法(fǎ)》《中华人(rén)民共和国网络(luò)安全(quán)法(fǎ)》，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室按照《网络安(ān)全审(shěn)查办(bàn)法》魔芋为什么没有热量，魔芋粉丝千万别吃多了，对美光公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实(shí)施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之(zhī)一(yī)，2022年收(shōu)入(rù)来自中国市场(ch魔芋为什么没有热量，魔芋粉丝千万别吃多了ǎng)收入从此前(qián)高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市场咨询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三星(xīng)电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司(sī)中，江波龙、佰维存(cún)储等公(gōng)司披露过美光(guāng)等国际存储厂商为公(gōng)司供应(yīng)商。

　　美(měi)光在(zài)江波龙采购占比(bǐ)已经显著下降，至少已(yǐ)经(jīng)不是(shì)主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一(yī)大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一(yī)大、第(dì)二大和(hé)第三大(dà)供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产(chǎn)业链上下游建立国内(nèi)外广泛合(hé)作。2022年年报显(xiǎn)示(shì)，江(jiāng)波龙与(yǔ)三星、美光、西部数(shù)据等(děng)主要存(cún)储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定(dìng)性(xìng)，巩固公司在(zài)下游市场的供应优势，公司也与国内国(guó)产存储晶(jīng)圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持(chí)良好(hǎo)的合作。

　　有(yǒu)券(quàn)商(shāng)此前就分析，如(rú)果美光在中(zhōng)国(guó)区销售受到限(xiàn)制，或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长(zhǎng)江(jiāng)存(cún)储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的(de)上游设(shè)备厂或从(cóng)中受益。存(cún)储器(qì)的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的(de)结构(gòu)转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉(chén)积(jī)工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来(lái)可能会更深的孔或者沟(gōu)槽，催生更(gèng)多设备需求。据东京电子披露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开(kāi)支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入(rù)美国限制(zhì)名单，设备国(guó)产化(huà)进程加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升(shēng)，以及存储业务占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等(děng)收入增长。

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