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　　美光公司在华销售的产品未通过(guò)网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息(xī)，日前(qián)，网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)办(bàn)公室依(yī)法(fǎ)对美光公司(sī)在华销售产品进(jìn)行了网(wǎng)络安全审查。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美光公(gōng)司产品存在较严重网络安全问题(tí)隐患，对我(wǒ)国关键信息基础设施供应(yīng)链造(zào)成重大(dà)安全风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国国(guó)家安(ān)全。为此，网络(luò)安全审查办公室依法(fǎ)作出不予(yǔ)通过网络圆的直径符号字母表示R，圆的直径符号字母表示什么安全审查的结(jié)论。按照《网络安全法》等(děng)法律法规，我国内(nèi)关键信息基(jī)础(chǔ)设施(shī)的运营者应停止采购美(měi)光公司(sī)产品。

　　此次对美光公司产品进行网络(luò)安(ān)全审查，目的是防范(fàn)产品网络安(ān)全问题(tí)危害(hài)国家(jiā)关(guān)键信息(xī)基础(chǔ)设施安全，是维护国家安(ān)全的必要措施(shī)。中国(guó)坚定推进(jìn)高水(shuǐ)平对外开放(fàng)，只要(yào)遵守中国法律法(fǎ)规要求(qiú)，欢(huān)迎各国(guó)企(qǐ)业、各类平台产品服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称，为保(bǎo)障关键信息(xī)基础设施供应链安(ān)全，防(fáng)范产品(pǐn)问题(tí)隐患造成网络安全风险，维护国家安(ān)全，依(yī)据(jù)《中华(huá)人民(mín)共(gòng)和国(guó)国家安全法》《中(zhōng)华人(rén)民共(gòng)和国网络安全(quán)法》，网络安全审查办公室(shì)按(àn)照《网络(luò)安全(quán)审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实(shí)施网络(luò)安全(quán)审查。

　　美光是美国的(de)存储芯片行业龙头，也(yě)是全球存(cún)储芯片巨(jù)头之一，2022年收入来自中国(guó)市(shì)场收入从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Mark圆的直径符号字母表示R，圆的直径符号字母表示什么it）统计，2021 年三星(xīng)电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披(pī)露过美光等国际(jì)存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙(lóng)采购(gòu)占比已经显(xiǎn)著(zhù)下降，至(zhì)少已经(jīng)不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列(liè)江波龙第一(yī)大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第(dì)一大、第二大(dà)和第三大供应商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙已经在(zài)存储产业链上下游建(jiàn)立国内外(wài)广泛合作。2022年年(nián)报(bào)显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主要存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)签署了长期合约，确保存储晶圆供(gōng)应的稳定性(xìng)，巩固公司在(zài)下游市场的供应(yīng)优势(shì)，公司也与国(guó)内(nèi)国产存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂武汉长江存(cún)储、合(hé)肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商此前(qián)就分(fēn)析，如(rú)果美光在中(zhōng)国(guó)区销售受到限制，或(huò)将导致下游(yóu)客户(hù)转而采(cǎi)购(gòu)国(guó)外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等(děng)竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的(de)上游设(shè)备厂(chǎng)或从中受(shòu)益。存储器(qì)的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关(guān)键、最(zuì)大量(liàng)的加工设备。3D NAND每(měi)层均(jūn)需要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔，未来(lái)可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设备需求。据东京(jīng)电子(zi)披露，薄膜沉积设备(bèi)及(jí)刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资(zī)本(běn)开支合计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存储被(bèi)加入美国限(xiàn)制名单，设备国产(chǎn)化进程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉(chén)积(jī)）等相(xiāng)关公司份额提升(shēng)，以及(jí)存储(chǔ)业务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等(děng)收入增长。

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