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　　美(měi)光公司在华销售的产品(pǐn)未(wèi)通过网络安全审(shěn)查(chá)

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安全审查办公(gōng)室依法对美光公(gōng)司(sī)在(zài)华销售(shòu)产品进行了网络安(ān)全审(shěn)查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产(chǎn)品存在较严重网络(luò)安全问题隐(yǐn)患，对我国关键信息基础设施供应链造成重大安全风险，影响我国国家安(ān)全。为此，网络安(ān)全审查办公(gōng)室依法作出不(bù)予通过网络安全审(shěn)查的结论(lùn)。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施的(de)运营者(zhě)应(yīng)停止(zhǐ)采购美光公司(sī)产品。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进行网(wǎng)络安全审查，目的是(shì)防范产品网(wǎng)络安全(quán)问题危害国家关键信息基础设(shè)施安全，是维(wéi)护国家安(ān)全(quán)的(de)必(bì)要(yào)措施。中国坚定推进高水平对外开(kāi)放，只要(yào)遵守中国(guó)法(fǎ)律法规要求，欢(huān)迎各国企业、各(gè)类平台产(chǎn)品(pǐn)服务(wù)进(jìn)入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国(guó)网信网(wǎng)发(fā)文称，为保障关键信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链安全(quán)，防范(fàn)产品问题隐(yǐn)患造成网(wǎng)络安全(quán)风(fēng)险，维护国家安全，依(yī)据(jù)《中(zhōng)华人民共和(hé)国国家安(ān)全(quán)法》《中华人民(mín)共和(hé)国网络安全法》，网络安全(quán)审查办(bàn)公室按照《网络安全审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品实(shí)施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美国的(de)存(cún)储(chǔ)芯片(piàn)行业龙头，也是全球存储芯片巨(jù)头之(zhī)一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西(xī)部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份鲨鱼裤和打底裤什么区别，鲨鱼裤跟打底有什么区别额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在(zài)全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公(gōng)司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公(gōng)司披露过(guò)美光等国际存(cún)储厂商为公司供(gōng)应(yīng)商。

　　美光(guāng)在(zài)江波龙采购占比已经显著下降，至(zhì)少已经不(bù)是主(zhǔ)要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙(lóng)第一大存(cún)储(chǔ)晶圆(yuán)供(gōng)应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙第一大、第二大和第三大(dà)供(gōng)应(yīng)商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存(cún)储(chǔ)产业链(liàn)上下游建立国内外(wài)广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数据等主要(yào)存储(chǔ)晶圆原厂签(qiān)署了(le)长期(qī)合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司在下(xià)游市场(chǎng)的供应优势，公司(sī)也(yě)与国(guó)内国产存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂武汉长江存(cún)储、合(hé)肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果(guǒ)美(měi)光在(zài)中(zhōng)国(guó)区销(xiāo)售受到限制，或将导致下(xià)游客(kè)户转而采购国(guó)外三(sān)星(xīng)、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存(cún)储、长(zhǎng)鑫(xīn)存储(chǔ)等竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中受(shòu)益。存(cún)储器(qì)的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的鲨鱼裤和打底裤什么区别，鲨鱼裤跟鲨鱼裤和打底裤什么区别，鲨鱼裤跟打底有什么区别打底有什么区别(de)工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和(hé)薄(báo)膜(mó)成为(wèi)最关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜(mó)沉积(jī)工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的(de)孔或者沟槽(cáo)，催生更(gèng)多(duō)设备需求。据(jù)东京电子(zi)披露，薄(báo)膜沉积(jī)设备及刻蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计(jì)为75％。自(zì)长(zhǎng)江存储被加入美国限制名单(dān)，设备(bèi)国产化进(jìn)程加(jiā)速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关公司份(fèn)额(é)提升，以及(jí)存储业(yè)务占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等(děng)收(shōu)入增长。

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