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没带罩子让捏了一节课感受

没带罩子让捏了一节课感受 半导体突发!中国出手:停止采购!

没带罩子让捏了一节课感受

  大家好,来(lái)看一(yī)则突发(fā)消息。

  美光公司在华销售的产品未通过网络安全审(shěn)查

  据(jù)网信(xìn)办消息,日前,网络(luò)安全审查(chá)办公室依法(fǎ)对美光公司在华销售产品进行(xíng)了网络安全审查。

  审查(chá)发现,美光(guāng)公(gōng)司产品存(cún)在较(jiào)严(yán)重网络安全问题隐患,对我国关(guān)键信息基(jī)础设施供应(yīng)链造成重(zhòng)大安(ān)全(quán)风险,影响我国国家安全。为此,网络(luò)安(ān)全审查办公室依法作出不予通过网络安全审查的结(jié)论。按照《网络安全法》等法律法规,我国内关键信息(xī)基础设施的运营者应停止采购(gòu)美光公(gōng)司产品。

  此次对美光(guāng)公司产品(pǐn)进行网络(luò)安全审查(chá),目的是防范产品(pǐn)网络安全(quán)问题危害国家关键信(xìn)息基础设施(shī)安全,是维护国家(jiā)安(ān)全的必要措施(shī)。中国坚定推进高(gāo)水(shuǐ)平对外开放,只要遵守中国法律(lǜ)法规要求,欢迎各国企业、各类平台(tái)产品服务进入中国(guó)市场。

  半导体突发!中国出手:停止采购!

  3月31日,中(zhōng)国网信网发文称(chēng),为(wèi)保障(zhàng)关键信息(xī)基础设施供应链安全,防范(fàn)产品问题隐患造成网络安(ān)全风险,维护(hù)国家安全,依据《中华人民共和国(guó)国家安(ān)全法》《中华(huá)人民共和国网(wǎng)络安全法(fǎ)》,网络安全(quán)审(shěn)查(chá)办(bàn)公室按(àn)照(zhào)《网络安全审查办法》,对美光公司(sī)(Micron)在华销售的(de)产品实施(shī)网络(luò)安全审(shěn)查。

  半(bàn)导体突发!中(zhōng)国出手:停止采购!

  美光是美国的存储(chǔ)芯片(piàn)行业龙(lóng)头,也(yě)是全球(qiú)存储芯(xīn)片巨头之(zhī)一,2022年收入来自(zì)中国市场收入从此(cǐ)前高峰57%降至(zhì)2022年约11%。根据(jù)市场咨询机构(gòu) Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场份额约为 96.76%,三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球(qiú) DRAM (内存(cún))市场份额约为 94.35%。

  A股上市公司中,江波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过(guò)美光等(děng)国际存储厂商为公司供应商。

  美光在江波龙(lóng)采购占比已经显著下降,至少已经不(bù)是(shì)主要大(dà)供应商。

  公告显示(shì), 2021年(nián)美光位列江波龙(lóng)第一大存(cún)储晶圆供(gōng)应商(shāng),采(cǎi)购约31亿(yì)元,占比(bǐ)33.52%;2022年,江波龙第一大、第二大和第三大(dà)供应商采(cǎi)购金额占比分别(bié)是26.28%、22.85%和5.76%。

  目(mù)前江波龙已经在存储产业链(liàn)上下(xià)游建立国内外(wài)广泛合作。2022年年报(bào)显示,江波龙与三星、美(měi)光、西部数据(jù)等主要存储晶(jīng)圆原(yuán)厂签署了长期(qī)合约,确保存储晶圆供(gōng)应的(de)稳(wěn)定性(xìng),巩固公司(sī)在下(xià)游(yóu)市场的供应优势,公司也与国(guó)内国产存(cún)储晶(jīng)圆原厂武汉长(zhǎng)江存(cún)储、合(hé)肥(féi)长鑫保持(chí)良好的合(hé)作。

  有券商此前(qián)就分析,如果美光在中国区销售(shòu)受(shòu)到限制,或将导致下游(yóu)客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士,国内长江存储、长鑫(xīn)存(cún)储等(děng)竞对产品(pǐn)

没带罩子让捏了一节课感受

  分析(xī)称,长存(cún)、长鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受益。存储器的(de)生产(chǎn)已经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代,2 维到(dào)3维的结(jié)构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最(zuì)大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤,同(tóng)时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60:1的深(shēn)孔(kǒng),未(wèi)来(lái)可能会更深的孔或者沟(gōu)槽(cáo),催生更多设备需(xū)求。据东京电子(zi)披露,薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合(hé)计为75%。自(zì)长江存储被加入美国限制名(míng)单,设(shè)备国产化进程(chéng)加速,看好拓荆科技(薄(báo)膜沉积)等(děng)相关公司份额提(tí)升,以及存储业务(wù)占比(bǐ)较高的(de)华海(hǎi)清科(CMP)、盛美上海(清洗)等(děng)收入增长。

 

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