大家好，来看一则突发(fā)消息(xī)。

　　美光公司(sī)在华销售的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日(rì)前(qián)，网络安全审查办公室依(yī)法(fǎ)对美(měi)光公司在华销售产品进行(xíng)了网络安(ān)全审查。

　　审(shěn)查发现，美光(guāng)公司产品存(cún)在较严(yán)重网(wǎng)络安全问题隐(yǐn)患，对(duì)我国(guó)关键(jiàn)信息基础设施供应链造成重大(dà)安(ān)全风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办公室依法作出不(bù)予通过(guò)网络安(ān)全(quán)审查的结论。按照(zhào)《网(wǎng)络安全法》等法(fǎ)律法规，我国内关键信息(xī)基础设施的运(yùn)营者应(yīng)停止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美(měi)光公(gōng)司(sī)产品进行网络安(ān)全审(shěn)查，目的是防范产品网络(luò)安全问题危害(hài)国家关(guān)键信(xìn)息基(jī)础设施安全，是维护国家安全(quán)的必(bì)要措(cuò)施(shī)。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守(shǒu)中国法律法规要求(qiú)，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品(pǐn)服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称(chēng)，为保障关键信(xìn)息基(jī)础设施(shī)供应链(liàn)安全，防范产品问题隐患(huàn)造成网络安全风(fēng)险，维护国(guó)家安(ān)全，依据《中(zhōng)华人民共和国国家安全(quán)法(fǎ)》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全(quán)审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的(de)产(chǎn)品实(shí)施网络安全审查。

　　美光是美国的(de)存储芯片行(xíng)业(yè)龙头，也(yě)是全球(qiú)存储芯片巨(jù)头之一(yī)，20辨别方向的办法有哪些大自然二年级 怎样在野外辨别方向22年收(shōu)入来自中国市场收入从此(cǐ)前(qián)高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份额约为(wèi) 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过(guò)美光(guāng)等国际存储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙采(cǎi)购占(zhàn)比(bǐ)已经显(xiǎn)著(zhù)下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列(liè)江波(bō)龙第一大存储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙(lóng)第一大、第二大和第(dì)三大供应商(shāng)采购金额占比(bǐ)分别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储产(chǎn)业链上下游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要(yào)存储晶圆原厂签(qiān)署(shǔ)了(le)长期合约，确保存储晶圆(yuán)供应的稳(wěn)定(dìng)性，巩固公司在下游(yóu)市场的供应优势，公司(sī)也与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商(shāng)此前就分析(xī)，如果美光在中国区销售受到限制，或将导致下(xià)游客户转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士(shì)，国内长江存(cún)储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析称(c辨别方向的办法有哪些大自然二年级 怎样在野外辨别方向hēng)，长存(cún)、长鑫的(de)上游设备厂或(huò)从中受益(yì)。存储(chǔ)器的生产已经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最(zuì)关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时(shí)刻蚀目(mù)前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的(de)孔或者沟槽，催生更多设备需(xū)求。据东(dōng)京(jīng)电子披露，薄膜沉积设(shè)备及(jí)刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自(zì)长江存储(chǔ)被加入美国限(xiàn)制名单，设备国产(chǎn)化(huà)进程(chéng)加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等(děng)相关公司(sī)份(fèn)额提升(shēng)，以及(jí)存储业务占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收(shōu)入(rù)增长。

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