大家好，来看一则突发消息(xī)。

　　美光公司在华销售的产(chǎn)品未通过网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)

　　据网信办消息，日前，网络安全(quán)审查办公(gōng)室依法对美(měi)光公司在(zài)华销售产(chǎn)品进(jìn)行(xíng)了网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络安全问题(tí)隐患，对(duì)我国关键(jiàn)信(xìn)息基础设施供(gōng)应链造(zào)成重大安(ān)全风险，影响我国国家安全(quán)。为此(cǐ)，网络安全审查办公室依法作出不予(yǔ)通过网络安全审查的结论。按照(zhào)《网(wǎng)络安(ān)全法(fǎ)》等法律法规，我国内关键信息基础(chǔ)设施的运(yùn)营者应停止采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次(cì)对美光公司产品凉风席席的是什么意思，凉风席席是成语吗进行网(wǎng)络安全(quán)审查，凉风席席的是什么意思，凉风席席是成语吗目的是防范产品网(wǎng)络安全问题危(wēi)害国家关键信(xìn)息基础设施安全，是维(wéi)护国(guó)家安全的必(bì)要措(cuò)施。中国坚定推进高水(shuǐ)平(píng)对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各(gè)国企业、各类平台产(chǎn)品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称(chēng)，为保障关键(jiàn)信息基础设施供应链安全，防范(fàn)产品问题隐患(huàn)造(zào)成网络安(ān)全风险，维护(hù)国家(jiā)安全，依据《中华人民共和国国家(jiā)安全法》《中华人民(mín)共和国网(wǎng)络安全法》，网络安全审(shěn)查办公室按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对(duì)美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施网络安全(quán)审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行业龙头，也是全球存储(chǔ)芯片巨(jù)头之一，2022年收入来自中国市(shì)场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠(xiá)、西(xī)部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美(měi)光在(zài)全(quán)球 DRAM （内存）市场份额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中(zhōng)，江波龙(lóng)、佰维(wéi)存储等(děng)公司披(pī)露过美(měi)光等国际存储厂(chǎng)商为公(gōng)司供应商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比(bǐ)已经显著下(xià)降，至少(shǎo)已经不是(shì)主要大供应商(shāng)。

　　公告(gào)显示， 2021年美(měi)光位列(liè)江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供(gōng)应(yīng)商(shāng)，采购约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大(dà)和第三大供应商(shāng)采购(gòu)金额(é)占(zhàn)比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经(jīng)在存储(chǔ)产业(yè)链上(shàng)下游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年(nián)年(nián)报显示，江波(bō)龙与(yǔ)三星、美光、西(xī)部数据等主(zhǔ)要存(cún)储晶圆原(yuán)厂签署了长期合(hé)约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳(wěn)定性(xìng)，巩固公(gōng)司在下游(yóu)市(shì)场的供应优势，公(gōng)司也与国内国产存储晶圆(yuán)原厂武(wǔ)汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫(xīn)保持良(liáng)好(hǎo)的合作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果(guǒ)美(měi)光在中国区销售受到限制，或(huò)将(jiāng)导致下(xià)游客户转而采购国外(wài)三(sān)星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫存(cún)储等(děng)竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存(cún)、长鑫的上(shàng)游设备厂或从中(zhōng)受(shòu)益。存储器的(de)生产已(yǐ)经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺(yì)。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最(zuì)大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经(jīng)过薄膜沉积(jī)工艺(yì)步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要(yào)刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔，未来(lái)可能会(huì)更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设(shè)备需求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资(zī)本(běn)开(kāi)支(zhī)合计为75％。自长江存储(chǔ)被加入美国限制(zhì)名(míng)单，设备国产(chǎn)化进程加速，看好拓(tuò)荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关公司份额(é)提升，以及存储业(yè)务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等(děng)收入增长。

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