大家好，来看一则(zé)突发消(xiāo)息。

　　美光公司在华销(xiāo)售的产品(pǐn)未通过网络安全审查(chá)

　　据网信办(bàn)消(xiāo)息，日(rì)前(qián)，网络安全审查办公室依法对美光公(gōng)司在华销售产品进(jìn)行了网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查。

　　审查发(fā)现中国哪里的莲子最好吃，美(měi)光公司产品存在较(jiào)严重网络安全问题隐患，对(duì)我国(guó)关键(jiàn)信息基础设施供应链造成重大安(ān)全风险，影(yǐng)响我国国家安全(quán)。为此，网络(luò)安全审查办公室依(yī)法作(zuò)出不予通过网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查(chá)的结(jié)论。按照《网络(luò)安全法》等法律法(fǎ)规，我(wǒ)国内(nèi)关(guān)键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础设施的运(yùn)营者应停(tíng)止(zhǐ)采购美光公(gōng)司(sī)产品。

　　此(cǐ)次对美光公司(sī)产品进行网络安(ān)全审查，目(mù)的是防范产品网络安全问题危害国家关键信息基(jī)础设施安(ān)全，是维护国家安全的必要措施。中国坚定推进(jìn)高(gāo)水平对外开放(fàng)，只要(yào)遵守中(zhōng)国法律(lǜ)法规要求，欢迎各(gè)国企业(yè)、各类平台产品服务(wù)进入中(zhōng)国市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文(wén)称，为保障关键(jiàn)信息基础设施供应链安全，防(fáng)范产品(pǐn)问题隐患造成网络安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据(jù)《中华人民共(gòng)和国国家安(ān)全法》《中华人民(mín)共和国网络安(ān)全法》，网络安全审查办公室按照(zhào)《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实(shí)施网络安(ān)全审查。

　　美(měi)光是美国的存(cún)储芯片行(xíng)业龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入(rù)来自中国市场收入从此前(qián)高峰57％降(jiàng)至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星(xīng)电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披(pī)露过美光等国际存储厂商(shāng)为公司供(gōng)应商。

　　美光在(zài)江(jiāng)波龙采(cǎi)购占比(bǐ)已经(jīng)显(xiǎn)著下降，至少已经不(bù)是(shì)主要大供(gōng)应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江(jiāng)波(bō)龙第一(yī)大存储晶圆供(gōng)应(yīng)商，采购(gòu)约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第中国哪里的莲子最好吃一(yī)大、第(dì)二大和(hé)第三大供应(yīng)商采购金额(é)占比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存(cún)储产业链上下(xià)游(yóu)建立国内外广泛合(hé)作。2022年年(nián)报显(xiǎn)示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等主要(yào)存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确保存(cún)储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固公司在下游市场(chǎng)的供应优势，公(gōng)司也与国内国产存储晶圆原(yuán)厂武(wǔ)汉(hàn)长江存储、合(hé)肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美光在中国区(qū)销(xiāo)售受到(dào)限制，或将导致下游客户转而(ér)采购国外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞(jìng)对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益(yì)。存储器的生产(chǎn)已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在(zài)已经进(jìn)入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构(gòu)转变使(shǐ)刻蚀和(hé)薄膜成(chéng)为最关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿(yán)要(yào)刻到 60：1的深孔，未来(lái)可(kě)能(néng)会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子(zi)披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开(kāi)支合计为75％。自长(zhǎng)江存储(chǔ)被(bèi)加入美国限制名单(dān)，设备国产化(huà)进程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关(guān)公(gōng)司份额(é)提升，以及存(cún)储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增(zēng)长。

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