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　　美光(guāng)公司(sī)在(zài)华销售(shòu)的产品未通过(guò)网络安(ān)全审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安全审查办公室依法(fǎ)对(duì)美光公(gōng)司在华销(xiāo)售产品进(jìn)行了(le)网络安全审查。

　　审查发现，美光公司(sī)产品存在较严重(zhòng)网络(luò)安全问(wèn)题(tí)隐患(huàn)，对我(wǒ)国(guó)关键(jiàn)信息(xī)基础设施供应链造成重大安全风险，影响我国国家安全。为(wèi)此，网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)办公室依法作出不予通过(guò)网络安(ān)全审查的结论。按照《网络(luò)安(ān)全(quán)法》等法(fǎ)律法(fǎ)规，我国内关键信息基(jī)础设(shè)施的(de)运营者(zhě)应(yīng)停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次(cì)对美光公司产(chǎn)品进行网络安全(quán)审查，目的是防范产品网络安(ān)全(quán)问题(tí)危害国家关(guān)键信息(xī)基础设施安全，是维护国(guó)家(jiā)安(ān)全的必要措施。中(zhōng)国坚定推进高水(shuǐ)平(píng)对外(wài)开放，只要遵守(shǒu)中国法律法规(guī)要求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产品服务(wù)进入(rù)中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称(chēng)，为(wèi)保障关键(jiàn)信息基(jī)础设施供应链安(ān)全，防(fáng)范产品问题隐患(huàn)造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家安全法(fǎ)》《中华人民共和国网(wǎng)络安全法》，网(wǎng)络安全审查办公室按照《网络安(ān)全审查(chá)办(bàn)法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的(de)存储芯片行业龙头，也是全(quán)球存储(chǔ)芯片巨(jù)头之(zhī)一，2022年收入(rù)来自中国市场(chǎng)收入从此前高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星(xīng)电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公(gōng)司披露(lù)过美光(guāng)等(děng)国际(jì)存储厂(chǎng)商(shāng)为(wèi)公(gōng)司供(gōng)应(yīng)商。

　　美光在江(jiāng)波(bō)龙采购(gòu)占比(bǐ)已经显著下降，至少已经不是主要大供应(yīng)商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第(dì)二大和(hé)第(dì)三大供应商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储产业链(liàn)上下(xià)游建立国内外广(guǎng)泛(fàn)合作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美(měi)光、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期(qī)合(hé)约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司在(zài)下(xià)游(yóu)市(shì)场的供(gōng)应优势，公司也与国内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉(hàn)长江存(cún)储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如(rú)果(guǒ)美光(guāng)在中(zhōng)国区销售(shòu)受(shòu)到(dào)限(xiàn)制，或将导(dǎo)致(zhì)下游客户(hù)转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫存(cún)储等竞(jìng)对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游(yóu)设(shè)备厂(chǎng)或(huò)从中受益(yì)。存储器(qì)的生产(chǎn)已(yǐ)经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变(biàn)使刻蚀和(hé)薄膜成(chéng)为(wèi)最(zuì)关键、最(zuì)大量的加(jiā)工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到(dào) 60：1的(de)深孔，未来(lái)可能(néng)会更夷洲今是何地，夷洲是哪里深的孔或者沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据东(dōng)京(jīng)电子(zi)披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加(jiā)入美国(guó)限制名单，设(shè)备国产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜(mó)沉积(jī)）等相(xiāng)关公司份(fèn)额提升(shēng)，以及存储业(yè)务(wù)占比较高的(de)华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛美上夷洲今是何地，夷洲是哪里海（清洗）等收(shōu)入增长。

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