大家(jiā)好，来看一则突(tū)发消息。

　　美光公司在华销(xiāo)售的产品未通过网络(luò)安(ān)全审查

　　据网信办消息(xī)，日前，网络(luò)安全审(shěn)查办公室依法对美光(guāng)公司在华销售产品进行了(le)网络(luò)安全审查(chá)。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存在较严重网络(luò)安全问题隐患(huàn)，对我(wǒ)国关键信息(xī)基础设施供应(yīng)链造成重大安全(quán)风险，影响我国国家(jiā)安全。为此，网络安全审查办公室依(yī)法作出不予通过网络(luò)安全审查的结论。按照《网(wǎng)络(luò)安全法》等法律法规，我国内关键信息基础设施的运营者应停止采购美光公司(sī)产品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品(pǐn)进行网络安全(quán)审(shěn)查，目的是防范产品网络安全问题危害国家(jiā)关键信息基础设施安全(quán)，是(shì)维护国家安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外(wài)开放，只要遵守中国法律(lǜ)法规要求(qiú)，欢迎各国(guó)企(qǐ)业、各类平台(tái)产品服务进(jìn)入中(zhōng)国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发(fā)文称，为保障关(guān)键(jiàn)信息基础设施供应链安全，防范(fàn)产品问题隐患(huàn)造成网络(lu亲爱的让你㖭我下黑ò)安全(quán)风险，维护国家安(ān)全，依据《中华人民共和国国家安(ān)全(quán)法》《中华(huá)人(rén)民共和(hé)国网络(luò)安全法(fǎ)》，网络(luò)安全审(shěn)查(chá)办公室按(àn)照(zhào)《网络安全(quán)审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在(zài)华销售(shòu)的(de)产品实施网络安全审查。

　　美光是美(měi)国的(de)存储芯片行业龙头，也(yě)是全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来(lái)自中(zhōng)国市场收入(rù)从此前高峰57％降至(zhì)2022年(nián)约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三(sān)星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海力士、美光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储(chǔ)等公司披露过(guò)美光等国(guó)际存储(chǔ)厂(chǎng)商为公(gōng)司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比已(yǐ)经显著下降，至少已经不(bù)是(shì)主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第(dì)一大存储晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙第(dì)一大、第二大(dà)和(hé)第三大(dà)供亲爱的让你㖭我下黑应商采(cǎi)购金额占(zhàn)比分别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产业(yè)链上下游建立(lì)国内外(wài)广泛合作。2022年年(nián)报显示，江波龙(lóng)与(yǔ)三星(xīng)、美光(guāng)、西部数据等主(zhǔ)要存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)签署了长期合(hé)约，确保存(cún)储(chǔ)晶圆(yuán)供应的稳定性，巩固公(gōng)司在下游市场(chǎng)的供应优势，公司也(yě)与国内(nèi)国(guó)产存储晶圆原(yuán)厂武汉长(zhǎng)江存储、合(hé)肥长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美光在中国(guó)区销售受到限制，或(huò)将导致下(xià)游客户转而采(cǎi)购国外三(sān)星(xīng)、 SK海力士(shì)，国(guó)内(nèi)长江存(cún)储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从(cóng亲爱的让你㖭我下黑)中受益(yì)。存储器(qì)的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过(guò)薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生更多(duō)设备需求。据东京电子(zi)披露，薄膜沉(chén)积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自长江存储被加(jiā)入美(měi)国限制(zhì)名单，设备国产化进程加(jiā)速，看好(hǎo)拓荆科(kē)技（薄(báo)膜沉积）等相关公(gōng)司份额(é)提升(shēng)，以及存(cún)储业务占比较(jiào)高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等(děng)收入(rù)增长。

未经允许不得转载：美阿密—女性私护高端品牌|女性生殖保养|女性私密健康养护|女性私护微商代理产品|美阿密官网 亲爱的让你㖭我下黑