大家(jiā)好，来看一则突发消息(xī)。

　　美光公(gōng)司在华销售(shòu)的(de)产品未通过网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日(rì)前，网络(luò)安全审(shěn)查办公室(shì)依法对美光公(gōng)司在(zài)华销(xiāo)售产(chǎn)品进行了网络安全审查。

　　审查(chá)发现(xiàn)，美光公司(sī)产品存(cún)在(zài)较严重网络安全问生理反应什么叫压枪，生理压枪是什么意思题隐患，对我国关(guān)键信(xìn)息基础(chǔ)设施(shī)供应链(liàn)造成重大安全风(fēng)险，影(yǐng)响我(wǒ)国国家安全。为此，网络安(ān)全(quán)审查(chá)办公室依法作出(chū)不予(yǔ)通过网络安(ān)全(quán)审(shěn)查的结(jié)论。按(àn)照《网络(luò)安全法》等法(fǎ)律法规(guī)，我国(guó)内关(guān)键信息基础(chǔ)设施(shī)的运营(yíng)者应停止采购美光公司产品。

　　此次对(duì)美光(guāng)公司产品(pǐn)进行网络(luò)安(ān)全审查，目的是防范产品网络安全问题危害国(guó)家关键信息(xī)基础(chǔ)设(shè)施安(ān)全，是(shì)维护(hù)国家(jiā)安全的必(bì)要措施。中国(guó)坚定推(tuī)进高水平(píng)对外开放(fàng)，只要(yào)遵守中国法(fǎ)律法规(guī)要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为保障关键信息基(jī)础(chǔ)设施供应链安全(quán)，防范产品问题隐患造成网络安(ān)全风险，维护国(guó)家安全，依据(jù)《中华人(rén)民共和国(guó)国家(jiā)安全(quán)法(fǎ)》《中华人民(mín)共和(hé)国网络安全(quán)法(fǎ)》，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室按照(zhào)《网(wǎng)络安全审(shěn)查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华(huá)销售的产品(pǐn)实施网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　美(měi)光是美(měi)国的存储芯片行(xíng)业(yè)龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来(lái)自中(zhōng)国市场收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部(bù)数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场生理反应什么叫压枪，生理压枪是什么意思份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维(wéi)存储等公(gōng)司披露过(guò)美光等国际存(cún)储厂商为公司(sī)供(gōng)应(yīng)商(shāng)。

　　美光在(zài)江波龙采购占比已经显著下降(jiàng)，至少(shǎo)已经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位(wèi)列江波龙(lóng)第一大存(cún)储晶(jīng)圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第三大供应商采购(gòu)金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经(jīng)在存储产业链(liàn)上下游建(jiàn)立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报(bào)显示，江波龙与三星(xīng)、美光、西(xī)部数据等主(zhǔ)要存储晶圆(yuán)原厂签(qiān)署(shǔ)了长期(qī)合(hé)约(yuē)，确(què)保存储晶圆供应的(de)稳(wěn)定性(xìng)，巩固公司在下游市场(chǎng)的供应优势，公司(sī)也与国内(nèi)国(guó)产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券商(shāng)此前(qián)就分析，如果(guǒ)美光在(zài)中国区销售受到限制，或(huò)将导致下游客户转(zhuǎn)而生理反应什么叫压枪，生理压枪是什么意思采购国(guó)外三星、 SK海(hǎi)力士，国内(nèi)长江存储、长鑫(xīn)存(cún)储等(děng)竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂(chǎng)或从中受益。存储器的生(shēng)产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺(yì)。另外NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进入3D NAND时代(dài)，2 维到(dào)3维(wéi)的结构(gòu)转(zhuǎn)变(biàn)使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经(jīng)过薄膜沉积工(gōng)艺步骤(zhòu)，同(tóng)时刻(kè)蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可(kě)能会(huì)更深的(de)孔或者沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据(jù)东京电子披(pī)露，薄膜沉(chén)积(jī)设(shè)备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本(běn)开支合计为75％。自长(zhǎng)江存(cún)储被加入美国限(xiàn)制名(míng)单，设备国产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜(mó)沉积）等相关公司(sī)份(fèn)额提(tí)升，以及存储业(yè)务(wù)占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清洗）等收入(rù)增长(zhǎng)。

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