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花王牙膏为什么那么便宜,这三种牙膏千万别再买了

花王牙膏为什么那么便宜,这三种牙膏千万别再买了 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一则突发消(xiāo)息。

  美光公司在华销售的(de)产(chǎn)品未通过网络安(ān)全审查(chá)

  据网信办消息,日前,网络安全审查办公室(shì)依法对美光公司在华销售产品进行了网络(luò)安全(quán)审查。

  审查发现,美(měi)光公司产品存(cún)在较(jiào)严重(zhòng)网络安全问题隐患,对我国关(guān)键信息基础设施供应链造(zào)成重大(dà)安(ān)全风(fēng)险,影响我国(guó)国家安全(quán)。为此,网络(luò)安全审查办公室依法(fǎ)作出不(bù)予通过网络(luò)安全审查的结论(lùn)。按照《网络安全法》等法律(lǜ)法规(guī),我国内(nèi)关键信息基础(chǔ)设施的运营者(zhě)应(yīng)停止采(cǎi)购美光公司产品。

  此次对美(měi)光公(gōng)司产品(pǐn)进(jìn)行网络(luò)安全审查,目的是防范(fàn)产(chǎn)品网络安全问题危害(hài)国(guó)家关键信(xìn)息基础(chǔ)设施安全,是维(wéi)护国家安全(quán)的必要措施。中国坚定(dìng)推(tuī)进高水平对外(wài)开放,只要遵守中(zhōng)国法律法(花王牙膏为什么那么便宜,这三种牙膏千万别再买了fǎ)规要求,欢迎各国(guó)企业(yè)、各类平台产品服务进入(rù)中国市场(chǎng)。

  半导体突发!中国出(chū)手:停止(zhǐ)采购(gòu)!

  3月(yuè)31日,中国网信网发(fā)文称,为保障(zhàng)关(guān)键信息基(jī)础设施供(gōng)应链安全(quán),防(fáng)范产品问题隐患(huàn)造(zào)成网络(luò)安(ān)全风险(xiǎn),维护(hù)国(guó)家安(ān)全,依据《中华(huá)人民共和(hé)国国家安全法(fǎ)》《中华人民共和国网络安全法》,网络安(ān)全审查办公室按照(zhào)《网络安全审查办法》,对美光公司(Micron)在(zài)华销售的产(chǎn)品实施网络安全审查。

  半导体突发!中国出(chū)手:停(tíng)止采购!

  美光是美国的存储芯片行业龙头,也(yě)是(shì)全球存储芯(xīn)片(piàn)巨头之一,2022年(nián)收入来自中国市场收入(rù)从此(cǐ)前高峰57%降至(zhì)2022年约11%。根据(jù)市场咨(zī)询(xún)机(jī)构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场份额约为 96.76%,三(sān)星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM (内存)市场份额约为 94.35%。

  A股上市公司中(zhōng),江波龙(lóng)、佰维存(cún)储等公司披露过美(měi)光等国际存(cún)储厂商为公司供应商。

  美光在江波龙采(cǎi)购占(zhàn)比已经(jīng)显著下降,至少已经(jīng)不是主要大供应(yīng)商。

  公(gōng)告(gào)显(xiǎn)示, 2021年(nián)美光位列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供应商,采购约(yuē)31亿元,占比33.52%;2022年(nián),江波龙(lóng)第一(yī)大、第二大和(hé)第三(sān)大供(gōng)应商采购金额占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已经在存储(chǔ)产业链(liàn)上下游建(jiàn)立国(guó)内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示,江(jiāng)波(bō)龙(lóng)与三星(xīng)、美光、西部数据(jù)等主要(yào)存储晶圆原厂(chǎng)签署了(le)长期合约,确保存储晶圆(yuán)供应(yīng)的(de)稳(wěn)定性(xìng),巩固公司在下(xià)游市场的花王牙膏为什么那么便宜,这三种牙膏千万别再买了供应优势(shì),公(gōng)司也与国内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江存(cún)储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作(zuò)。

  有券商此前就分析(xī),如果(guǒ)美光在中国区销售受到限制,或将(jiāng)导致下游客(kè)户转而采购国外(wài)三星、 SK海力士,国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

  分析称,长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时(shí)代,2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄(báo)膜(mó)成(chéng)为最关(guān)键(jiàn)、最大(dà)量的(de)加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉(chén)积(jī)工艺步骤,同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60:1的(de)深孔,未(wèi)来可能会更深(shēn)的孔或者沟槽,催生更(gèng)多设备需求(qiú)。据(jù)东京电(diàn)子披露,薄膜(mó)沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计(jì)为75%。自长江存储被加(jiā)入(rù)美国限制名单,设备(bèi)国产化进程(chéng)加速,看好(hǎo)拓荆科(kē)技(jì)(薄膜(mó)沉(chén)积)等相关公司份额提升,以及存储(chǔ)业务占(zhàn)比较(jiào)高的华海清科(CMP)、盛(shèng)美上海(清洗)等收入增长。

 

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