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　　美(měi)光公司在华(huá)销售的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日(rì)前，网络安(ān)全审(shěn)查办公室(shì)依法对美光公司在(zài)华销售(shòu)产品进(jìn)行了网络(luò)安全(quán)审查(chá)。

　　审(shěn)查发现，美光公司产(chǎn)品存(cún)在较严重网络(luò)安全问题隐患，对我国(guó)关键信息基(jī)础设施供(gōng)应链造(zào)成重(zhòng)大安全风(fēng)险，影响我国国家安全。为(wèi)此，网络安全审查办(bàn)公室依法作(zuò)出不(bù)予通(tōng)过网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查(chá)的(de)结论。按(àn)照《网络安全法》等法律(lǜ)法规，我国内关键信息(xī)基础设施的运营者人生在勤,不索何获的意思是谁说的，人生在勤不索何获的意思是什么(zhě)应停止采购(gòu)美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美(měi)光公(gōng)司产品(pǐn)进行网络(luò)安(ān)全审查，目的是(shì)防范产品网络安全(quán)问题危害(hài)国家(jiā)关(guān)键信息基础设施安全(quán)，是维护国家安(ān)全的(de)必要措施(shī)。中国坚定推进高水平对外开放，只要(yào)遵守中国法律法规要求，欢迎各国(guó)企业、各(gè)类平(píng)台产品服务进入(rù)中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为保障关键信息基(jī)础设施供应链(liàn)安(ān)全，防(fáng)范(fàn)产(chǎn)品问题隐患造成网络(luò)安全风险，维护(hù)国家安全，依据《中华人民共和国(guó)国家安全(quán)法》《中华人民共和国(guó)网络(luò)安全法》，网络安全审查办公室按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销(xiāo)售的产品(pǐn)实施网络安全审(shěn)查(chá)。

　　美(měi)光(guāng)是美国的存储芯片(piàn)行业龙头，也是(shì)全球存储芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自中国市(shì)场(chǎng)收(shōu)入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在(zài)全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公司披露过美(měi)光等(děng)国(guó)际(jì)存储厂(chǎng)商为公(gōng)司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采购占比已经(jīng)显著(zhù)下降，至(zhì)少已经不是主要(yào)大供(gōng)应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商，采(cǎi)购约(yuē)31亿元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和(hé)第三(sān)大供应商采购(gòu)金(jīn)额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江(jiāng)波龙已经在存储产业链上(shàng)下游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年年(nián)报显示(shì)，江波龙与三星、美(měi)光、西部(bù)数据等(děng)主要存储晶(jīng)圆原厂签署了长(zhǎng)期合约，确保存(cún)储晶圆供应的(de)稳(wěn)定(dìng)性(xìng)，巩固公司(sī)在下游市场的供(gōng)应优势，公司也与国内国产存储(chǔ)晶人生在勤,不索何获的意思是谁说的，人生在勤不索何获的意思是什么圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持(chí)良(liáng)好的合(hé)作。

　　有券商此前(qián)就分析，如(rú)果(guǒ)美光在(zài)中国区销售受到限制，或将导致(zhì)下游(yóu)客户转而采购国外三(sān)星(xīng)、 SK海力(lì)士(shì)，国内长江存储、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析(xī)称，长(zhǎng)存、长鑫的(de)上游设备厂或(huò)从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关(guān)键、最(zuì)大量的加(jiā)工设(shè)备(bèi)。3D NAND每(měi)层均(jūn)需要经(jīng)过(guò)薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻(kè)蚀(shí)目前前沿要(yào)刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可(kě)能(néng)会更深的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据(jù)东京(jīng)电子披露，薄膜沉(chén)积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备国产化(huà)进程加速(sù)，看好拓(tuò)荆科(kē)技(jì)（薄(báo)膜沉积）等(děng)相关公司(sī)份额提(tí)升，以及存储(chǔ)业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增长(zhǎng)。

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