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　　美光公司在华销(xiāo)售(shòu)的产(chǎn)品未通过网络安(ān)全审(shěn)查

　　据网信办消(xiāo)息(xī)，日前，网络(luò)安全审查办公室依法(fǎ)对美(měi)光公(gōng)司(sī)在华销(xiāo)售(shòu)产品(pǐn)进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发(fā)现(xiàn)，美光(guāng)公司产品存在(zài)较严重(zhòng)网络安全问题隐患，对我国关键信息基础设(shè)施供应链造成重大(dà)安全风险，影响(xiǎng)我国(guó)国家安全。为此(cǐ)，网络安全(quán)审查办(bàn)公室依法作(zuò)出(chū)不(bù)予(yǔ)通过网络安(ān)全审查的结论。按照《网络安全(quán)法》等法律法规，我(wǒ)国内关键信息基础设施的运(yùn)营者应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次(cì)对美(měi)光公司产品进(jìn)行网络安全(quán)审查，目的是(shì)防范产品(pǐn)网络(luò)安全问题危害(hài)国家关键信息基础设施(shī)安全，是维护国家安全的必(bì)要措施。中(zhōng)国坚定推进高水平对外(wài)开放(fàng)，只要(yào)遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢迎各(gè)国企(qǐ)业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国(guó)网信网发文称(chēng)，为保障关键信息基础设施供应(yīng)链(liàn)安全，防范产品问题隐患造成网络安(ān)全风险，维护国家安全，依(yī)据《中华(huá)人(rén)民共(gòng)和国国家安(ān)全法》《中(zhōng)华人民共和国(guó)网(wǎng)络安全法》，网络安全审查办公室(shì)按(àn)照《网(wǎng)络安全审查办法(fǎ)》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的(de)产品实施网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行业龙头，也是全球(qiú)存储芯片(piàn)巨头之一，2022年(nián)收入来自(zì)中(zhōng)国市场收入(rù)从此前(qián)高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披(pī)露过美(měi)光等国际存(cún)储(chǔ)厂(chǎng)商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙(lóng)采(cǎi)购占比已经(jīng)显著下(xià)降(jiàng)，至少已经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供(gōng)应商，采购(gòu)约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波(bō)龙(lóng)第一大、第(dì)二(èr)大(dà)和第三大供应(yīng)商采购(gòu)金(jīn)额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙(lóng)已经(jīng)在存储产业链上下游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约(yuē)，确保(bǎo)存储晶(jīng)圆供应的(de)稳定(dìng)性(xìng)，巩固(gù)公司在下游(yóu)市场的供(gōng)应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫(xīn)保持(chí)良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就(jiù)分析，如(rú)果美光在中国(guó)区(qū)销售受(shòu)到限(xiàn)制，或(huò)将导致下游客户转而采购国外三(sān)星、 SK海力士(shì)，国内(nèi)长江存储、长(zhǎng)鑫存储等(děng)竞(jìng)对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设备厂或(huò)从(cóng)中受(shòu)益。存储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层(céng)均需(xū)要经(jīng)过薄(bá电流单位1a等于多少毫安，电流1a等于多少maho)膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前(qián)沿要刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多设备需求。据东(dōng)京电子披(pī)露(lù)，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被(bèi)加入美国限制名(míng)单(dān)，设备(bèi)国产(chǎn)化(huà)进(jìn)程加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份(fèn)额提升(shēng)，以及存储(chǔ)业务(wù)占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收(shōu)入增长。

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