大家好，来看一则(zé)突发(fā)消息。

　　美(měi)光公司在华(huá)销(xiāo)售的(de)产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息(xī)，日(rì)前，网络安全审查办公室(shì)依(yī)法对美(měi)光公司在(zài)华销售产品进行了网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品存(cún)在较严重网(wǎng)络安全问题隐患(huàn)，对我(wǒ)国关键信息基础设施供应链造成重大(dà)安全风险，影响我国国(guó)家安全。为(wèi)此，网络安全审(shěn)查(chá)办公室依(yī)法作出不予通过网络安全审查的结(jié)论(lùn)。按照(zhào)《网络安全法》等法律法规，我国内(nèi)关键(jiàn)信息基(jī)础设施的运营者应停(tíng)止采(cǎi)购美(měi)光公司产(chǎn)品。

　　此次(cì)对美(měi)光公司产品进行网络安全审查，目的是(shì)防(fáng)范产品网络安全(quán)问(wèn)题(tí)危害国家关键信息基础设(shè)施安(ān)全，是维护(hù)国家安全的(de)必(bì)要措(cuò)施。中国(guó)坚定(dìng)推进高水平对外开放(fàng)，只要遵(zūn)守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类(lèi)平台产品服(fú)务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文(wén怎么查询韩国签证结果，怎么查询韩国签证结果进度)称，为(wèi)保(bǎo)障关键信息(xī)基础设施(shī)供应链安全，防范产品(pǐn)问(wèn)题隐患造成网络安全风(fēng)险，维(wéi)护国家(jiā)安全，依(yī)据《中华人民(mín)共和国国(guó)家安(ān)全法》《中(zhōng)华人民共(gòng)和国网络安全法》，网络安全审查办公室按照(zhào)《网络(luò)安全审查办法》，对美光(guān怎么查询韩国签证结果，怎么查询韩国签证结果进度g)公司(sī)（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络安(ān)全审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片行业龙头，也是全球存(cún)储(chǔ)芯片巨头之(zhī)一(yī)，2022年收入来自(zì)中国市场收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光、Solid怎么查询韩国签证结果，怎么查询韩国签证结果进度igm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过美光等国际存储厂商为(wèi)公(gōng)司供应(yīng)商(shāng)。

　　美(měi)光(guāng)在江波龙采购占比已经显著下降，至少已经(jīng)不是主要大供(gōng)应(yīng)商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙第一(yī)大存储晶圆供(gōng)应(yīng)商，采(cǎi)购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和第三大供(gōng)应商采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙(lóng)已(yǐ)经(jīng)在存储产(chǎn)业链上下(xià)游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年(nián)报(bào)显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西部(bù)数(shù)据等主要(yào)存储晶圆原(yuán)厂签署了长期合(hé)约，确(què)保(bǎo)存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)供应的稳定性，巩固公司在下(xià)游市(shì)场的供(gōng)应优势，公司也(yě)与国内(nèi)国产存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持(chí)良好的合作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果美光在中国区销(xiāo)售(shòu)受到限制(zhì)，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采购国外(wài)三星(xīng)、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分(fēn)析(xī)称，长存、长鑫的上(shàng)游(yóu)设备厂(chǎng)或从中受益。存储(chǔ)器的生产(chǎn)已经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结(jié)构转变使刻蚀(shí)和(hé)薄膜成为最关键、最大(dà)量的加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每层均需要(yào)经(jīng)过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要(yào)刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求(qiú)。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长江存储(chǔ)被加入美国(guó)限制(zhì)名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份额提升，以及(jí)存储业务占比(bǐ)较高的(de)华海清(qīng)科（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清洗）等收(shōu)入增(zēng)长。

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