大家好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光公司在华销售的产品未通过(guò)网络安全审查

　　据网信办消息(xī)，日前，网络(luò)安全(quán)审查办公(g1lb等于多少斤kg，10lb等于多少斤ōng)室依法对美光公司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公(gōng)司产(chǎn)品存在较严重(zhòng)网(wǎng)络安全问题隐(yǐn)患，对我国(guó)关(guān)键信(xìn)息基(jī)础设(shè)施供应(yīng)链造成(chéng)重大安全(quán)风险(xiǎn)，影(yǐng)响我(wǒ)国国家安全。为此，网络(luò)安全审查办公室依(yī)法作(zuò)出不予(yǔ)通过网络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法规，我国内关键信息基础设施的运(yùn)营者应(yīng)停止采购美(měi)光公司产品。

　　此次(cì)对美光公司产(chǎn)品进(jìn)行网络安(ān)全审(shěn)查，目的(de)是防范(fàn)产品网络安(ān)全问(wèn)题危(wēi)害国家关键信息基(jī)础设施安全，是维(wéi)护(hù)国家安全的(de)必要措(cuò)施。中国(guó)坚定推进高(gāo)水平对外开放，只要遵守中(zhōng)国法律法(fǎ)规要求，欢迎各(gè)国(guó)企(qǐ)业、各类(lèi)平(píng)台(tái)产品服(fú)务进入中国市场。

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　　3月31日，中国网信网发(fā)文称，为保障关键信息基础设(shè)施供应链(liàn)安全，防范产品问题隐患造成(chéng)网络安全风险(xiǎn)，维(wéi)护国家安全，依据《中华人(rén)民共和国国家安全法(fǎ)》《中华人民共和国网(wǎng)络(luò)安全法》，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公(gōng)室按(àn)照《网络安全(quán)审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国(guó)的存(cún)储芯片(piàn)行业(yè)龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收(shōu)入来(lái)自中(zhōng)国市场(chǎng)收入从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约(yuē)为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光在(zài)全球 DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披露(lù)过美(měi)光等国际存(cún)储(chǔ)厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光在(zài)江波龙采购占比已经(jīng)显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二(èr)大(dà)和第三大供应商采购金额(é)占比分别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存(cún)储产业(yè)链上下游(yóu)建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与三(sān)星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约(yuē)，确(què)保(bǎo)存储晶圆供应(yīng)的稳定性(xìng)，巩固公司在(zài)下游市场的供应优势，公司也与国内国(guó)产存(cún)储晶圆原厂武汉(hàn)长江存(cún)储、合肥长鑫保持(chí)良好的合(hé)作。

　　有券商此(cǐ)前(qián)就分析，如果美(měi)光在中国区销售受到(dào)限制，或将导致下游客(kè)户转而采购国(guó)外(wài)三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析(xī)称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益(yì)。存(cún)储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最(zuì)关键、最大(dà)量的(de)加工设(shè)备。3D NAND每(měi)层均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同(tóng)时刻蚀目(mù)前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的(de)孔或者(zhě)沟(gōu)槽，催生更(gèng)多设备需求。据东京电子披(pī)露(lù)，薄(báo)膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合(hé)计为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备国产化进程(chéng)加速，看(kàn)好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关公(gōng)司(sī)份(fèn)额提(tí)升1lb等于多少斤kg，10lb等于多少斤，以及存(cún)储(chǔ)业务占(zhàn)比较高的(de)华海清科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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