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　　美光公司在华销售的产(chǎn)品未通(tōng)过网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查(chá)

　　据网信办消(xiāo)息，日(rì)前，网络安全审(shěn)查办公室依(yī)法对美光公(gōng)司在华销(xiāo)售产(chǎn)品进行了网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　审(shěn)查发现，美(měi)光公(gōng)司(sī)产品存在较严重网(wǎng)络安全问(wèn)题隐(yǐn)患，对我国关键信息基础设施(shī)供应链造(zào)成重大(dà)安(ān)全(quán)风险，影响(xiǎng)我国(guó)国家安(ān)全。为此(cǐ)，网(wǎng)络安全(quán)审查办公(gōng)室依法作出不予(yǔ)通过(guò)网络安全(quán)审查的结论。按照(zhào)《网(wǎng)络安全法》等法律(lǜ)法规，我国(guó)内关键信息(xī)基础设施(shī)的运营者(zhě)应停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网络安全审查，目(mù)的是防范(fàn)产品网络(luò)安全问题危害国(guó)家关(guān)键信息基础(chǔ)设施安全，是维护(hù)国(guó)家安全的必要措(cuò)施(shī)。中国坚(jiān)定(dìng)推进高水平(píng)对外开放，只要(yào)遵守中国法律法规要(yào)求，欢迎各国企业、各(gè)类(lèi)平(píng)台产(chǎn)品服(fú)务进(jìn)入中国(guó)市场。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网信网(wǎng)发文称，为保(bǎo)障(zhàng)关键信息基础设(shè)施(shī)供(gōng)应链安全，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护(hù)国家(jiā)安全(quán)，依据《中华人民共和(hé)国国家(jiā)安全法》《中华人民(mín)共和国网络安全法》，网络安全审查(chá)办公室按(àn)照《网(wǎng)络安全(quán)审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美(měi)光是(shì)美国的(de)存储芯片(piàn)行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收(shōu)入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星(xīng)1兆等于多少mb流量，1G等于多少MB电(diàn)子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市(shì)公司中，江(jiāng)波(bō1兆等于多少mb流量，1G等于多少MB)龙(lóng)、佰(bǎi)维存(cún)储(chǔ)等公司披露过美(měi)光等(děng)国(guó)际存储厂商(shāng)为(wèi)公(gōng)司供(gōng)应商(shāng)。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比(bǐ)已经显著(zhù)下降，至(zhì)少已经不是主要大供应(yīng)商(shāng)。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光位列江波龙(lóng)第一(yī)大存储晶圆供(gōn1兆等于多少mb流量，1G等于多少MBg)应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙第(dì)一大、第(dì)二(èr)大和第(dì)三大供应商采(cǎi)购金(jīn)额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波(bō)龙(lóng)已经在存储(chǔ)产业链(liàn)上下游(yóu)建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三星(xīng)、美(měi)光、西部数(shù)据等主要存储晶圆原(yuán)厂签署了长期(qī)合约(yuē)，确保存储晶圆(yuán)供(gōng)应(yīng)的稳(wěn)定性(xìng)，巩固公司(sī)在下游(yóu)市场(chǎng)的供应优(yōu)势(shì)，公(gōng)司也与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫(xīn)保持(chí)良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就(jiù)分(fēn)析，如(rú)果美光在中国区(qū)销售受到(dào)限(xiàn)制，或将导致下游(yóu)客户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力(lì)士，国内长江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备(bèi)厂(chǎng)或(huò)从中受益。存储器(qì)的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的(de)结构转变使刻蚀和(hé)薄(báo)膜成为最关(guān)键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均(jūn)需(xū)要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿(yán)要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生(shēng)更多设备(bèi)需(xū)求。据东京电子(zi)披露(lù)，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被(bèi)加入美国限制名单，设备国(guó)产化进程加(jiā)速，看好(hǎo)拓(tuò)荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增(zēng)长。

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