大(dà)家(jiā)好，来看一(yī)则突发消(xiāo)息。

　　美光公司在华销(xiāo)售的产品(pǐn)未通过(guò)网络(luò)安全(quán)审查

　　据(jù)网信办消(xiāo)息(xī)，日前(qián)，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室(shì)依法(fǎ)对美光(guāng)公司(sī)在华销售产(chǎn)品进行(xíng)了(le)网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存在较严重网(wǎng)络(luò)安全(quán)问题隐患，对我国关键信息(xī)基(jī)础设施供应链(liàn)造(zào)成重(zhòng)大安全风险，影响我国国家安(ān)全。为此，网络安全审查(chá)办公室依法作出不予通过网(wǎng)络安全审查的(de)结论(lùn)。按照《网(wǎnrx550相当于什么显卡，rx580相当于什么显卡ff0000; line-height: 24px;'>rx550相当于什么显卡，rx580相当于什么显卡g)络安全法(fǎ)》等法律(lǜ)法规，我国内关(guān)键信息基(jī)础设施的(de)运(yùn)营(yíng)者应停止采购美光公司产品。

　　此次对(duì)美光公司产品进行网络rx550相当于什么显卡，rx580相当于什么显卡安(ān)全审查，目的是防范产(chǎn)品网络安全问(wèn)题危害国(guó)家关键(jiàn)信息(xī)基础设(shè)施安全，是维(wéi)护国家安全的必(bì)要(yào)措施(shī)。中(zhōng)国(guó)坚定推进(jìn)高水平对(duì)外开放，只要(yào)遵守中(zhōng)国法律(lǜ)法(fǎ)规要求，欢(huān)迎各(gè)国企业(yè)、各类平台产品服务进入中国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中国网(wǎng)信网发文称，为(wèi)保障关键信息基础(chǔ)设施(shī)供应链安全，防范产品问题隐患造成(chéng)网络安全风险，维护国家(jiā)安全，依据《中(zhōng)华(huá)人民共(gòng)和国国家(jiā)安全(quán)法(fǎ)》《中(zhōng)华(huá)人民(mín)共和国网络(luò)安全法》，网络安(ān)全(quán)审(shěn)查办(bàn)公(gōng)室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的产品实施网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查(chá)。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行业龙头，也(yě)是全(quán)球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自中国市(shì)场收入从此(cǐ)前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披露(lù)过(guò)美光等国际存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比(bǐ)已(yǐ)经显著下降，至少已经不是主(zhǔ)要大供(gōng)应(yīng)商。

　　公(gōng)告显示， 2021年(nián)美光(guāng)位(wèi)列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙(lóng)第一大、第二(èr)大和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储产业链(liàn)上下(xià)游建立国(guó)内外广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与(yǔ)三星、美光、西部数(shù)据等主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司(sī)在下游市场的供应优(yōu)势，公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好的(de)合作(zuò)。

　　有(yǒu)券商此前(qián)就分析，如果美光在中(zhōng)国区销售受到限制，或(huò)将导致下游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长(zhǎng)江存储(chǔ)、长鑫存(cún)储(chǔ)等竞对(duì)产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的(de)结构(gòu)转变(biàn)使刻蚀(shí)和薄膜成(chéng)为最(zuì)关键、最大(dà)量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可(kě)能会更(gèng)深(shēn)的(de)孔或者沟槽，催生更多设(shè)备需求。据东(dōng)京(jīng)电子(zi)披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自(zì)长(zhǎng)江(jiāng)存储被加入美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆(jīng)科技(jì)（薄(báo)膜沉(chén)积）等相关(guān)公司份额(é)提升(shēng)，以及存储业务占(zhàn)比较高的(de)华海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等(děng)收入(rù)增长。

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