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　　美光公司在华销(xiāo)售的产品未(wèi)通过(guò)网络安全审查(chá)

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网(wǎng)络安全审查办公室依(y一方水等于多少吨水，一方水等于多少吨水ī)法对美光公司在华(huá)销售(shòu)产品进行了网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查(chá)。

　　审查发(fā)现，美光公司产(chǎn)品存在(zài)较严(yán)重网络安(ān)全问题隐患，对我国关键信息基础设(shè)施供应链造成(chéng)重大(dà)安全风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为(wèi)此，网络安全审查办公室依法作出不予通过网(wǎng)络安全审查(chá)的结论。按照《网络安(ān)全法》等法律法规(guī)，我国内关键信(xìn)息基础设施的运营者(zhě)应停止采购美(měi)光公司产品。

　　此次对美(měi)光公司(sī)产品进行网络安(ān)全(quán)审查，目的是防范产品网络安全问题危(wēi)害国家关键信息基(jī)础设施安(ān)全，是(shì)维护国家安全(quán)的必(bì)要措施。中国坚定推进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵(zūn)守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎各国(guó)企业、各类(lèi)平台(tái)产(chǎn)品(pǐn)服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息(xī)基础(chǔ)设(shè)施供(gōng)应链安全，防范产(chǎn)品(pǐn)问(wèn)题隐患造成网络(luò)安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民(mín)共和国网络安全法》，网络(luò)安全审查办公室按照《网(wǎng)络安全审查(chá)办法(fǎ)》，对美(měi)光公司（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络安全(quán)审查。

　　美(měi)光是美国的存储(chǔ)芯片行业龙头，也(yě)是全球存储芯片巨(jù)头之一，2022年收入来自中国市场收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根(gēn)据(jù)市场咨询(xún)机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力(lì)士(shì)、美光在全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波(bō)龙(ló一方水等于多少吨水，一方水等于多少吨水ng)、佰维存储等公司披露(lù)过(guò)美光(guāng)等国际存储厂(chǎng)商为公(gōng)司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比已经显著下降，至少(shǎo)已(yǐ)经不是主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大存储(chǔ)晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大(dà)、第二大和(hé)第三大供应(yīng)商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产业链上(shàng)下游建立(lì)国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示(shì)，江波龙与三星、美光、西(xī)部(bù)数据等主(zhǔ)要存储晶圆(yuán)原(yuán)厂签署了(le)长期合约，确(què)保存储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的供应(yīng)优势，公司也(yě)与国内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉(hàn)长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合(hé)作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果(guǒ)美光一方水等于多少吨水，一方水等于多少吨水(guāng)在中国区销(xiāo)售受到(dào)限(xiàn)制(zhì)，或将(jiāng)导致下(xià)游客户转而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国(guó)内(nèi)长江存储、长(zhǎng)鑫存(cún)储等竞对(duì)产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受(shòu)益。存储(chǔ)器的生产(chǎn)已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构(gòu)转变(biàn)使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过(guò)薄膜沉积工艺(yì)步(bù)骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会(huì)更深的(de)孔(kǒng)或者沟(gōu)槽，催(cuī)生更多(duō)设备需求。据东京(jīng)电子披(pī)露(lù)，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存储被加入(rù)美国(guó)限(xiàn)制(zhì)名单(dān)，设备(bèi)国产化进(jìn)程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关公司份额提升，以及存储业务占比较高(gāo)的(de)华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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