大家(jiā)好，来看一则突发(fā)消(xiāo)息。

　　美光公司在华(huá)销(xiāo)售的产品未通过网络安(ān)全审查

　　据网信办消(xiāo)息(xī)，日前，网络(luò)安全(quán)审查办公(gōng)室依法对美光公司在华(huá)销(xiāo)售(shòu)产(chǎn)品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产品存在较严(yán)重(zhòng)网(wǎng)络安(ān)全问题隐患，对我国(guó)关键信(xìn)息基础设(shè)施(shī)供应链造成重大安全风险，影(yǐng)响我国国家(jiā)安全。为此，网络(luò)安全审查办公室(shì)依法(fǎ)作(zuò)出不予通过网络安(ān)全审查(chá)的结论。按照《网络安全法》等法律(lǜ)法规，我国内关键信息基础设施的(de)运营者应停止采(cǎi)购美(měi)光公(gōng)司(sī)产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行网络安全审(shěn)查，目(mù)的是防范产品网络安全问题危害国(guó)家关键信息(xī)基础(chǔ)设施安全(quán)，是(shì)维护国(guó)家安全的必要(yào)措施。中(zhōng)国坚(jiān)定推进高水平对外开放，只要(yào)遵守(shǒu)中国法(fǎ)律法规(guī)要(yào)求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台产品服(fú)务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称(chēng)，为保(bǎo)障关(guān)键信息基础(chǔ)设施供(gōng)应链(liàn)安(ān)全，防(fáng)范产品问题隐(yǐn)患造成网络安(ān)全风险，维护国家安全(quán)，依据《中华人(rén)民(mín)共和国国(guó)家安全法》《中华人民(mín)共和(hé)国网络安全法》，网络安(ān)全审查办公(gōng)室(shì)按(àn)照(zhào)《网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销(xiāo)售(shòu)的(de)产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的(de)存(cún)储牛剖层皮革是不是真皮，牛皮革是什么材质芯片行业龙头，也是(shì)全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来(lái)自(zì)中国市场收入从(cóng)此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询(xún)机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子(zi)、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数(shù)据、SK 海力(lì)士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场(chǎng)份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全(quán)球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波(bō)龙、佰维存储等公司披露过(guò)美(měi)光等国际存储厂(chǎng)商为(wèi)公司(sī)供应商。

　　美光在(zài)江波龙采购(gòu)占比已经显著下降(jiàng)，至少已经不是(shì)主要大(dà)供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙(lóng)已经在存储产(chǎn)业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西(xī)部数据(jù)等主要存储晶圆(yuán)原厂签署了长(zhǎng)期(qī)合约，确保存储晶圆(yuán)供应(yīng)的稳定性(xìng)，巩(gǒng)固(gù)公司在(zài)下(xià)游(yóu)市场的(de)供应优势，公司也与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良(liáng)好的合(hé)作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区销售(shòu)受到(dào)限制(zhì)，或将导致下游客(kè)户转(zhuǎn)而采(cǎi)购国(guó)外(wài)三星、 SK海力士，国内(nèi)长(zhǎng)江存(cún)储、长鑫存储(chǔ)等竞(jìng)对产品

　　分析称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的(de)上游(yóu)设备(bèi)厂或从中受(shòu)益。存储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为(wèi)最关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步(bù)骤(zhòu)，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自(zì)长江(jiāng)存储被加入美国(guó)限(xiàn)制名单，设备国产化进程(chéng)加(jiā)速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关公司份额(é)提升，以及(jí)存(cún)储业务(wù)占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清(qīng)洗）等收入(rù)增长(zhǎng)。

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