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　　美光公(gōng)司在华销售的产品未通(tōng)过网络安全(quán)审(shěn)查

　　据(jù)网信(xìn)办消息，日前，网络安全审查(chá)办公室依法对(duì)美(měi)光公司(sī)在华销售(shòu)产品进行了网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　审查发现，美(měi)光公司(sī)产品存在较严重网络安全问题隐患，对(duì)我(wǒ)国关(guān)键信(xìn)息(xī)基础设施供应链造成(chéng)重大安全风险，影响我(wǒ)国国(guó)家安全。为此，网(wǎng)络(luò)安全(quán)审(shěn)查办公室(shì)依法作出(chū)不予通过网络安全审查的结论。按照(zhào)《网络安(ān)全(quán)法(fǎ)》等法(fǎ)律法规，我国内关键信息基(jī)础设(shè)施(shī)的(de)运营者应(yīng)停(tíng)止采购美光公司(sī)产(chǎn)品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网络(luò)安全审查(chá)，目(mù)的是防范产品网络安(ān)全问题危(wēi)害国家(jiā)关(guān)键信息基(jī)础设(shè)施安全，是维(wéi)护国家(jiā)安全的必要措施。中国坚定推(tuī)进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中国法律法(fǎ)规(guī)要求，欢迎各国企业、各(gè)类(lèi)平台产(chǎn)品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发(fā)文称，为(wèi)保障关键信息(xī)基础设施供应链安全(quán)，防(fáng)范(fàn)产品问题隐(yǐn)患(huàn)造成网络(luò)安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依(yī)据《中(zhōng)华人民共(gòng)和国国(guó)家安全(quán)法》《中(zhōng)华人民共和国网络安全法(fǎ)》，网络安全审(shěn)查(chá)办(bàn)公室按照《网络安全审查(chá)办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产品实(shí)施网络(luò)安全(quán)审查(chá)。

　　美光(guāng)是美国(guó)的存储芯片行业(yè)龙头，也是全球(qiú)存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入来自(zì)中国市场收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司(sī)中，江波龙、佰维(wéi)存储等(děng)公司披(pī)露(lù)过美(měi)光等(děng)国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已(yǐ)经(jīng)显著(zhù)下降(jiàng)，至一二大写字怎么写千，大写的壹贰叁到十少已经不是(shì)主要大供应(yīng)商(shāng)。

　　公告(gào)显示(shì)， 2021年美光位(wèi)列江(jiāng)波龙(lóng)第一大存储(chǔ)晶(jīng)圆供应(yīng)商，采购约31亿元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大(dà)、第二大(dà)和(hé)第(dì)三大供应(yīng)商(shāng)采购金(jīn)额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储(chǔ)产(chǎn)业链上下游建立国(guó)内外广泛合作。2022年(nián)年(nián)报(bào)显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数据(jù)等主要存储晶(jīng)圆(yuán)原(yuán)厂签署了(le)长期合约，确保存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩固公司在(zài)下游市场的供应优势，公司也与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商此前就分(fēn)析(xī)，如果美光在中国区(qū)销售(shòu)受到限制，或将(jiāng)导(dǎo)致(zhì)下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长(zhǎng)江存(cún)储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存(cún)、长鑫(xīn)的(de)上(shàng)游设备厂(chǎng)或从中(zhōng)受(shòu)益。存储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工(gōng)艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大量的加(jiā)工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均(jūn)需要经过薄膜沉积(jī)工(gōng)艺步(bù)骤，同时刻蚀目(mù)前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长江存储被加入美(měi)国限制名单，设备(bèi)国产化进(jìn)程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关公司(sī)份额(é)提升，以及存储业务占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长。一二大写字怎么写千，大写的壹贰叁到十

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