大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在华销(xiāo)售的(de)产品未通(tōng)过网络(luò)安全审(shěn)查

　　据(jù)网信办(bàn)消息，日前，网络(luò)安(ān)全审(shěn)查办(bàn)公室依法对美(měi)光公司在华销售产品进行(xíng)了(le)网络安全审查。

　　审查(chá)发(fā)现，美光公司产品存在较严重网络安全问(wèn)题隐患，对(duì)我国关键信息基础(chǔ)设施(shī)供应链(liàn)造成重大(dà)安全风险，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网络安全审查办公室依法作出不予通过网络安全(quán)审查的结论。按照《网络安全(quán)法》等法律(lǜ)法规，我国内关键信息基础(chǔ)设施(shī)的运营者应停止采购美光公(gōng)司产品。

　　此次对美光公司(sī)产品(pǐn)进行网络安全审查(chá)，目的(de)是(shì)防(fáng)范产品网络安全(quán)问题危害国家关(guān)键信息基础设施安(ān)全，是维护(hù)国家安全的必要措施。中国坚定推进高水平(píng)对外开(kāi)放，只要(yào)遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢(huān)迎各国(guó)企业、各类(lèi)平台产(chǎn)品服(fú)务(wù)进入中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国网(wǎng)信网发(fā)文称，为保障关键(jiàn)信息基础设施供应(yīng)链安全(quán)，防范产品问题隐患造(zào)成网络安全风险，维(wéi)护(hù)国家安全，依据《中华人民(mín)共和(hé)国国家安全(quán)法》《中华人民共(gòng)和国(guó)网络(luò)安(ān)全法》，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)按照《网络安全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在(zài)华销售的产(chǎn)品实施(shī)网络安全审查。

　　美光是美国的(de)存储芯片行(xíng)业龙头，也是(shì)全球(qiú)存(cún)储芯片(piàn)巨头(tóu)之一，2022年收入(rù)来自中国市场收入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场(chǎng)咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三(sān)星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份国际歌的作者是谁哪国人，国际歌作者是哪个国家的人(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰(bǎi)维存(cún)储等公司披露过美光等(děng)国(guó)际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占(zhàn)比(bǐ)已经显著(zhù)下(xià)降，至少(shǎo)已经不是主(zhǔ)要大供应(yīng)商(shāng)。

　　公告显示(shì)， 2021年(nián)美光(guāng)位(wèi)列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第(dì)二大和(hé)第三大供(gōng)应商(shāng)采购金额(é)占比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波龙已经在存储(chǔ)产业链上下游建立国国际歌的作者是谁哪国人，国际歌作者是哪个国家的人(guó)内外广泛合作。2022年(nián)年报(bào)显(xiǎn)示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶(jīng)圆原厂签署了长期合约(yuē)，确保存储晶圆供(gōng)应(yīng)的稳定性，巩(gǒng)固公(gōng)司在下游市场(chǎng)的(de)供应优势，公(gōng)司也与(yǔ)国内国产存(cún)储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果美光在中国(guó)区销售受到限制，或将(jiāng)导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存(cún)储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存(cún)储器(qì)的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已(yǐ)经进入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到(dào)3维(wéi)的结(jié)构转变使刻蚀和(hé)薄膜(mó)成(chéng)为最关键(jiàn)、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每(měi)层均(jūn)需要经(jīng)过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的(de)孔或者沟槽，催生更多设备需求。据(jù)东京(jīng)电子(zi)披露，薄膜(mó)沉(chén)积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加入美(měi)国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关公司(sī)份额提升(shēng)，以及存(cún)储业务占(zhàn)比较高(gāo)的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增长(zhǎng)。

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