大家好，来看一则突发消(xiāo)息(xī)。

　　美光公司在华销售的产品(pǐn)未(wèi)通过网络安全(quán)审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审(shěn)查办公室依法对美光公司(sī)在华销售产品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查(chá)发(fā)现(xiàn)，美光公司产品存(cún)在(zài)较严重网络安(ān)全问(wèn)题隐患(huàn)，对我国关键信息(xī)基础设施供应(yīng)链造成(chéng)重大安全风险，影响我国(guó)国家安(ān)全。为此，网络安全审(shěn)查办公室依法作出(chū)不予通过(guò)网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)的结论。按照《网络(luò)安全法》等法律法规，我国内关(guān)键信(xìn)息基础设施的运营者应停止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行网络安(ān)全审(shěn)查，目的是(shì)防范产品网络(luò)安全(quán)问(wèn)题危害国家关键信息基(jī)础(chǔ)设施安(ān)全，是维护国(guó诸葛亮决胜千里之外运筹帷幄之中说的是谁，决胜千里之外运筹帷幄之中说的是谁说出来的)家安全(quán)的必(bì)要措施。中国坚定推进高水平对外(wài)开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平(píng)台产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月诸葛亮决胜千里之外运筹帷幄之中说的是谁，决胜千里之外运筹帷幄之中说的是谁说出来的(yuè)31日，中(zhōng)国网信网发文称，为保障关键(jiàn)信(xìn)息基础设施供应(yīng)链安(ān)全，防(fáng)范产品问题隐患造(zào)成网络安全(quán)风险，维护国家安全，依(yī)据(jù)《中华人(rén)民(mín)共和(hé)国国家安(ān)全法》《中华人民(mín)共和(hé)国网络安全法》，网络安全审(shěn)查(chá)办公室按照(zhào)《网络安全审(shěn)查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安(ān)全审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收(shōu)入来自中国市场收(shōu)入从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据(jù)市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠(xiá)、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中(zhōng)，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过美光(guāng)等国际存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光在(zài)江波龙采购占比(bǐ)已经显(xiǎn)著下降，至少(shǎo)已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列(liè)江(jiāng)波龙第(dì)一大存储晶圆(yuán)供应商，采购约(yuē)31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一(yī)大、第二(èr)大和(hé)第三大供应商(shāng)采购金额(é)占比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储(chǔ)产业链(liàn)上下(xià)游建立(lì)国内外广泛(fàn)合作(zuò)。2022年年报(bào)显示，江波龙(lóng)与三(sān)星、美(měi)光、西部数据等主要存储晶圆原(yuán)厂签署(shǔ)了(le)长期合约，确保存储晶圆供(gōng)应的(de)稳定性，巩固公司在下游(yóu)市(shì)场的供应优势，公司也与国内(nèi)国产(chǎn)存(cún)储(chǔ)晶圆原诸葛亮决胜千里之外运筹帷幄之中说的是谁，决胜千里之外运筹帷幄之中说的是谁说出来的厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江存储(chǔ)、合肥长鑫(xīn)保(bǎo)持(chí)良好的合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果(guǒ)美光在中国区销(xiāo)售(shòu)受到限制，或(huò)将导致下游客(kè)户转而采(cǎi)购国外三星(xīng)、 SK海力(lì)士，国内长江存(cún)储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或从中受益。存储器的(de)生产已经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工(gōng)艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经(jīng)进入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到(dào)3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀(shí)目前前(qián)沿(yán)要刻到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未(wèi)来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多(duō)设备(bèi)需求(qiú)。据(jù)东京电子披(pī)露，薄(báo)膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被(bèi)加入美国限制(zhì)名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等(děng)相关公司份额提升，以及存(cún)储业务(wù)占比(bǐ)较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清洗）等收入增长。

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