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　中国现在有多少士兵军人，目前中国有多少士兵中国现在有多少士兵军人，目前中国有多少士兵>　美(měi)光公司在华销(xiāo)售的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息(xī)，日前，网络(luò)安全审查办公(gōng)室依法对美光公司(sī)在华(huá)中国现在有多少士兵军人，目前中国有多少士兵销售产品(pǐn)进(jìn)行了(le)网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)。

　　审(shěn)查(chá)发现，美光公(gōng)司产品存在较严(yán)重网络安全(quán)问题隐(yǐn)患，对我国关键信息基础(chǔ)设施供应链(liàn)造成重大安(ān)全(quán)风险，影响我国国家安(ān)全。为此，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室依法作(zuò)出不(bù)予通过网络安全审查的结(jié)论。按照《网络(luò)安全(quán)法》等法(fǎ)律法规(guī)，我国内(nèi)关键(jiàn)信息(xī)基础设施的运营者应停止(zhǐ)采(cǎi)购(gòu)美(měi)光公司产品。

　　此次对美光(guāng)公司产(chǎn)品(pǐn)进行(xíng)网络(luò)安全(quán)审查，目(mù)的(de)是防范产(chǎn)品(pǐn)网络安全问题危(wēi)害国家关键信息基础设施安全，是(shì)维护(hù)国家安全的必要措施。中(zhōng)国坚定推进高水平(píng)对外(wài)开放(fàng)，只要遵守中国法(fǎ)律(lǜ)法规要求(qiú)，欢迎(yíng)各国企(qǐ)业、各类平(píng)台产品服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日(rì)，中国(guó)网信网发文称，为保障关键(jiàn)信息(xī)基础设施供(gōng)应(yīng)链安全，防范产品问题(tí)隐患造成网(wǎng)络安全风(fēng)险，维护国家安全，依据《中华人民共(gòng)和国国家安全法》《中华人民共和(hé)国网络安全(quán)法》，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室按(àn)照《网络安(ān)全(quán)审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在(zài)华销售的产品实(shí)施网络(luò)安全审查。

　　美光是美(měi)国(guó)的存(cún)储芯(xīn)片行业龙头，也是(shì)全球存(cún)储芯(xīn)片(piàn)巨头之一，2022年收入(rù)来自中(zhōng)国(guó)市场收入(rù)从此前高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美光等国际存(cún)储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美(měi)光在江波龙采购(gòu)占比(bǐ)已(yǐ)经显著下降，至少已经(jīng)不是主(zhǔ)要(yào)大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大(dà)存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第(dì)二大和第(dì)三大供应商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储(chǔ)产业链(liàn)上(shàng)下游建立国内外(wài)广泛合作。2022年年报显示(shì)，江波龙(lóng)与三星(xīng)、美光(guāng)、西部(bù)数据等主要存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂签(qiān)署了长期合约(yuē)，确(què)保存储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩固公司在下游市(shì)场的(de)供应优势，公(gōng)司也(yě)与国(guó)内(nèi)国产存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)武汉长江(jiāng)存(cún)储、合(hé)肥长(zhǎng)鑫保持良好(hǎo)的合(hé)作。

　　有券商此前就分(fēn)析(xī)，如果美(měi)光在(zài)中国区销(xiāo)售受(shòu)到(dào)限制，或将导致下(xià)游客户转(zhuǎn)而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存(cún)储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的(de)上游设备厂或从中(zhōng)受益(yì)。存储器的生(shēng)产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为(wèi)最关键、最(zuì)大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前(qián)沿(yán)要刻到 60：1的(de)深孔，未来(lái)可能会更深的孔(kǒng)或者(zhě)沟槽，催生更多设备需求。据(jù)东京电子(zi)披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长江存储被加入美国限(xiàn)制名单(dān)，设备国产化(huà)进程加(jiā)速，看(kàn)好拓荆(jīng)科技（薄(báo)膜(mó)沉积）等相关(guān)公司份额(é)提升，以及存储(chǔ)业务占比较(jiào)高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增(zēng)长。

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