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　　美光公司在华销售的产品(pǐn)未通过网络安全审查(chá)特朗普中文名字叫什么，特朗普英文全名叫什么

　　据网(wǎng)信办消息(xī)，日前，网络安全(quán)审查办(bàn)公(gōng)室依(yī)法(fǎ)对(duì)美光公司在华销售产品进行了网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)。

　　审查发现(xiàn)，美(měi)光公司产品存在较(jiào)严(yán)重网(wǎng)络(luò)安全问题隐患(huàn)，对我国关键信息基础设施供应链造成重大(dà)安全风险(xiǎn)，影响我(wǒ)国国家安(ān)全。为此，网络安全审查(chá)办公室(shì)依法作出不予(yǔ)通过网络安全审查的结(jié)论。按照《网(wǎng)络安全法》等法(fǎ)律(lǜ)法规，我国内(nèi)关键信息基础设施(shī)的运营者应(yīng)停(tíng)止采购美(měi)光(guāng)公司产品。

　　此次(cì)对(duì)美(měi)光公司(sī)产品进行网络安全审查，目的是防范产品网络(luò)安全问题(tí)危(wēi)害国(guó)家关键(jiàn)信息(xī)基础设施(shī)安全，是(shì)维护国家(jiā)安(ān)全(quán)的必要措施。中国坚定推进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守中国法(fǎ)律法规(guī)要求，欢迎各国(guó)企(qǐ)业(yè)、各类平台(tái)产品(pǐn)服务进入(rù)中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文称(chēng)，为保障关键信(xìn)息基础设(shè)施供应链安全，防范产品问题隐(yǐn)患造(zào)成网络安全(quán)风险，维护(hù)国家安全(quán)，依据《中(zhōng)华人民共和(hé)国国家(jiā)安全法》《中(zhōng)华人(rén)民共(gòng)和(hé)国(guó)网(wǎng)络安(ān)全法》，网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查办公室按照(zhào)《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络安全审查(chá)。

　　美光是美(m特朗普中文名字叫什么，特朗普英文全名叫什么ěi)国的存储芯(xīn)片行(xíng)业龙头，也是(shì)全球存储芯片巨头之(zhī)一(yī)，2022年收入来自(zì)中国市场收入从此前高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三(sān)星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波(bō)龙、佰维(wéi)存储等公(gōng)司披(pī)露过美光等国际存(cún)储厂商为公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比(bǐ)已(yǐ)经显著(zhù)下降(jiàng)，至(zhì)少已(yǐ)经不是(shì)主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第(dì)一大存储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二(èr)大和第三(sān)大供(gōng)应商采购金(jīn)额占(zhàn)比分(fēn)别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经(jīng)在存储(chǔ)产业链上下游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年报(bào)显(xiǎn)示，江波(bō)龙与三星、美光、西部数(shù)据等主要存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)签署了长期合约，确保存储晶圆(yuán)供应的稳(wěn)定性，巩固公司在下游市(shì)场的供应优势，公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合(hé)作。

　　有(yǒu)券商此(cǐ)前(qián)就(jiù)分(fēn)析(xī)，如(rú)果美光在中(zhōng)国区销售受到限制(zhì)，或将导致下(xià)游客户(hù)转而(ér)采购国(guó)外三星、 SK海(hǎi)力士(shì)，国内(nèi)长江存(cún)储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的(de)上游设备厂(chǎng)或从中受益。存(cún)储器的生产已(yǐ)经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维(wéi)的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会(huì)更深的孔或者沟(gōu)槽，催(cuī)生更多设备需(xū)求。据(jù)东京电子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本(běn)开(kāi)支(zhī)合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限制名单(dān)，设备国产化进程加速，看(kàn)好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份(fèn)额提升，以及存储业务占比较高的(de)华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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