5月23日，日(rì)本经(万里长城是秦始皇造的吗，长城是秦始皇修建的吗jīng)济产业(yè)省宣(xuān)布修正了所谓强(qiáng)化高(gāo)性能半导体制造装(zhuāng)置(zhì)出口管制(zhì)措(cuò)施(shī)的省(shěng)令，并明(míng)确将于7月23日实施(shī)。日本此(cǐ)举定会对自身经济、科(kē)技发(fā)展(zhǎn)和国际(jì)形(xíng)象造(zào)成反噬效(xiào)应，最终(zhōng)得不偿失。

　　日本经(jīng)济产业大臣西村康稔曾(céng)在公布规则(zé)方案时称“我们(men)的(de)出口限制并(bìng)不万里长城是秦始皇造的吗，长城是秦始皇修建的吗line-height: 24px;'>万里长城是秦始皇造的吗，长城是秦始皇修建的吗针对某一(yī)特定国家”，但(dàn)这种(zhǒng)“此地无银(yín)三百(bǎi)两”的说法(fǎ)显然没有说(shuō)服力。

　　事(shì)实上，日本政(zhèng)府限(xiàn)制高(gāo)性能半(bàn)导体设备出口指向明确，意图清晰(xī)。从去年10月份开(kāi)始，美(měi)国(guó)就对华实(shí)施了(le)16纳米(mǐ)以下半导体设(shè)备出口(kǒu)管制措施，并多次(cì)诱压日本、荷兰等(děng)在(zài)半导体设备(bèi)领域具(jù)有优势地位的(de)国(guó)家(jiā)紧(jǐn)跟其脚步，形成美日荷(hé)半导(dǎo)体遏华(huá)同盟，试图通(tōng)过出口管制阻断中国在尖端半导体领域的技术发展进程。日本(běn)此次也正是顺应(yīng)美国(guó)政府要求，强(qiáng)化对抗中国的姿态，与美国沆瀣(xiè)一气，将(jiāng)经贸(mào)和科技问题政治化、工具(jù)化、武器(qì)化，强行割裂半(bàn)导体全球大市场(chǎng)，塑造封闭“小圈子”，加大尖端半导体领(lǐng)域(yù)对华遏(è)制打压力度。

　　从西村(cūn)康稔的解释(shì)来(lái)看(kàn)，日本政(zhèng)府显然在随美遏(è)华上底气不足。一方面，日本政府(fǔ)难以承受正面对抗中国的后(hòu)果。多家(jiā)日本媒体报道认为，虽然此次管制措施未点名中(zhōng)国，但一定会引发中国的“强烈反(fǎn)制措(cuò)施(shī)”。中国商务部(bù)在(zài)5月(yuè)23日的答记者问中已(yǐ)经明(míng)确，中方将保留采取措施的权利(lì)，坚决(jué)维护自(zì)身合法(fǎ)权益。而近(jìn)日中国关键基础设施停购美光(guāng)科(kē)技(jì)产品，也足以证(zhèng)明中国在半导(dǎo)体反制方面的工具储备十(shí)分丰富(fù)。

　　另一方(fāng)面，日本政(zhèng)府强行随美起舞只会损害本(běn)国经济利益。在限制出口规(guī)则实施后，日(rì)本(běn)东京(jīng)电子、尼康等十几(jǐ)家企业的(de)经营将(jiāng)受到直接影响。而自美国去(qù)年(nián)10月实(shí)施对华出(chū)口管制以来，日本半导体企业(yè)整体(tǐ)对(duì)华出(chū)口额已(yǐ)呈(chéng)下(xià)降趋势。5月23日修正案公布后，多家日半导体企业股价下跌。对(duì)华出(chū)口管制造成的不安全(quán)感，将迫(pò)使日半导体企业(yè)调整长期经营战略，为日本半导(dǎo)体产业的未来发展(zhǎn)增添了极(jí)大不确(què)定性。

　　长久(jiǔ)以来，中日两国在半导体领域(yù)分工明确，合(hé)作紧密，为(wèi)世界半(bàn)导体(tǐ)产业(yè)发(fā)展和国际市场(chǎng)稳定作出(chū)了(le)突出(chū)贡(gòng)献。然而，为(wèi)配合(hé)美遏华举措(cuò)，日本政府近年来不惜(xī)挥(huī)舞经济安(ān)保大棒实施“无差别攻(gōng)击”，这既打伤(shāng)了(le)中日半导(dǎo)体等经贸(mào)科技领域合作的良好(hǎo)基础，更打伤了日本本国企业的发展信心和(hé)前景。希望日本政府尽快修(xiū)正错(cuò)误，回(huí)到中日(rì)合作共赢(yíng)的(de)正轨。

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